CFA LogoCFA Logo Computer
Новости Статьи Магазин Прайс-лист Драйвера Контакты
Новости
RSS канал новостей
В конце марта компания ASRock анонсировала фирменную линейку графических ускорителей Phantom Gaming. ...
Компания Huawei продолжает заниматься расширением фирменной линейки смартфонов Y Series. Очередное ...
Компания Antec в своем очередном пресс-релизе анонсировала поставки фирменной серии блоков питания ...
Компания Thermalright отчиталась о готовности нового высокопроизводительного процессорного кулера ...
Компания Biostar сообщает в официальном пресс-релизе о готовности флагманской материнской платы ...
Самое интересное
Программаторы 25 SPI FLASH Адаптеры Optibay HDD Caddy Драйвера nVidia GeForce Драйвера AMD Radeon HD Игры на DVD Сравнение видеокарт Сравнение процессоров

АРХИВ СТАТЕЙ ЖУРНАЛА «МОЙ КОМПЬЮТЕР» ЗА 2003 ГОД

Запоминай быстрее!

Владимир СИРОТА vovsir@km.ru

Окончание, начало в МК, №50 (273).
Для начала небольшое отступление от темы. Приношу извинения за то, что последние несколько недель не отвечаю на электронные письма. Это исключительно из-за практического отсутствия в редакции Интернета. Как только ОН появится, я обязуюсь дать ответ на все письма читателей.

Напоминание о железе

Как обычно, начнем с описания тестовой платформы. Она на этот раз у нас такая. Материнская плата от Epox —EP-4PDAI (рис. 1) на чипсете Intel 865PE. Несомненным достоинством плат этого производителя является традиционно хорошая разгоняемость, ради чего, собственно, выбор и пал на этот девайс. На данной материнке всего два разъема под DIMM, что с одной стороны, повышает надежность работы подсистемы памяти ПК, с другой — не позволяет начинающему пользователю запутаться при установке модулей DIMM на оба канала ОЗУ :-). Хотя использованный разработчиками платы «конструктивный» подход, несомненно, сужает возможности по наращиванию ОЗУ.

Рис. 1. EP-4PDAI

К личным достоинствам Epox EP-4PDAI я бы отнес неплохую комплектацию: в коробочку с системной платой аккуратно уложены два (!) ATA-100 шлейфа, FDD-кабель, SATA-интерфейсный кабель и переходник питания на SATA-разъем, косичка с игровым портом, приличной толщины мануал.

BIOS платы позволяет регулировать частоту FSB (т.е. несущей, на которую четырежды за один ее такт «насаживается» передача данных quadro-системой :-) шины QPB процессоров Pentium 4) в пределах 100-350 МГц, с шагом в 1 МГц.

С используемой памятью дело понятное.

Процессор мы будем юзать Pentium 4 3.2 ГГц, с незаблокированным коэффициентом умножения. По умолчанию его множитель на FSB во всех тестах будет выставлен как х12 (соответствует множителю Pentium 4 2.4С ГГц). Это было сделано для того, чтобы при оверклокинге системной шины не «упереться» в разгонный «потолок» для процессора.

Видеокарта — HIS Radeon 9800Pro. О ней подробно рассказывал А.Кондауров в своей статье «Погоняем Radeon?», МиК,. №46(104). От себя добавлю: чтобы установить эту видяшку в используемую мной повседневно плату (не EP-4PDAI, там все нормально), пришлось открутить (!) ручной переключатель скорости вращения кулера этой карточки. Ибо в стационарном положении он упирался в разъем для CD-Audio кабеля на плате, не позволяя девайсу нормально «влезть» в AGP-слот. Впрочем, достоинств видеокарточки такой конфуз ничуть не умаляет. Драйверы — родные видяшкины.

Ну и последнее — жесткий диск Seagate Barracuda 7200.7 (40 Гб, модель ST340014A) с установленной ОС Windows XP и тестовыми приложениями.

Теперь об особенностях тестирования. Параметры BIOS (кроме настроек для FSB и памяти) определялись согласно опции Load Optimized Defaults. Напряжение питания для модулей памяти устанавливалось в 2.7 В. («Рекомендовано» упомянутой опцией, минимум на плате доступно 2.6 В, хотя по стандарту для DDR-памяти требуется всего 2.5 В. На сходные условия питания (~2.7 B) рассчитаны и некоторые т.н. «оверклокерские» модули.) Именно с таким напряжение память и тестировалась. Впрочем, проведенные мной дополнительные эксперименты показали, что и при напряжении питания 2.6 В в большинстве случаев в характеристиках работы модулей DIMM ровным счетом ничего не меняется. Так что во избежание их излишнего нагрева иногда разумнее будет ограничиться 2.6 В питанием модулей DIMM (благо, и это значение уже является завышенным по сравнению со стандартным).

Безумству глупых…

Кстати, еще о вольтаже. На плате EP-4PDAI для памяти предусмотрено регулирование напряжения в пределах от 2.6 до 3.3 В. Это плохо! Потому что ставить на обычных модулях памяти напряжение выше 2.8 В в принципе не рекомендуется, особенно для владельцев «теплых» (тесных, плохо вентилируемых) корпусов. А 2.9 В — это уже просто экстрим, память греется чрезмерно, в чем каждый лично может убедиться на ощупь :-). Понятно, что такой нагрев отнюдь не добавляет стабильности в работу микросхем. Вот почему большинство производителей плат разумно ограничивают верхний предел возможного напряжения для DDR-памяти значением в 2.9 В (DIMM SDR SDRAM питались стандартно 3.3 В питанием). Иначе возможны несчастные случаи.

Вот, к примеру, ни один юзер не вздумает подать на свой холодильник 380 В вместо 220 В. Но некоторые из них почему-то считают, что с памятью подобные фокусы «проходят». И потоптав очумелыми ручками клаву, настраивают опции BIOS на разрушительные действия, последствия которых вы можете лицезреть на рисунках 2, 3, 4 (заметьте, на рисунке 4 хорошо видны места прогорания микросхем, такие модули ни одна здравомыслящая компания не принимает в гарантийный обмен).

Рис. 2.   Рис. 3.

Рис. 4.

В общем, с напряжением в Epox явно переборщили. Помните, в первой части я говорил о разумном разгоне памяти? Это самое оно, не забывайте о важном моменте запаса живучести оборудования и бойтесь данайцев, вольтаж приносящих :-).

Как помнили

Тайминги памяти (подробнее о них см. 2-ю часть статьи «Разумная платформа для Intel’лигентов», МК, №48 (271)) CAS Latency Time — DRAM RAS# to CAS# Delay — DRAM RAS# Precharge — Active to Precharge Delay в ходе тестов устанавливались изначально в значения 2.5-3-3-7. Затем задержки увеличивались до 3-3-3-8 тактов, а далее до максимально возможных для BIOS платы значений 3-4-4-8.

Еще пару важных уточнений. В ходе тестирования режим работы памяти в BIOS платы был выставлен в значение Standard. А соотношение частот FSB:памяти установлено как 1:1, хотя плата допускает различные варианты с делителями (при этом, правда, для 200 (800) МГц шины частота несущей для памяти оказывается всегда ниже частоты несущей для системной шины). Частоты шин AGP и PCI не повышались (по умолчанию они разгонялись параллельно с системной шиной, но для дополнительной чистоты эксперимента я это безобразие :-) отключил в соответствующей опции BIOS).

По правде говоря, тестирование памяти оказалось делом непростым. Стабильно работающая первые 15-20 минут память в следующие несколько секунд может вызвать страшные глюки, чреватые крахом ОС. Так что тесты на стабильность работы ОЗУ проводились длительные, не менее часа. (Запускался на циклическое выполнение 3D Mark03. Как показывает практика, при легком подглючивании ОЗУ этот тест просто прекращается, хотя система в общем сохраняет стабильность после его «неожиданного» завершения. При более существенной нестабильности подсистемы памяти ПК 3D Mark03 в ходе тестов подвисает либо уходит в перезагрузку. Любая из этих ошибок считалась признаком нестабильной работы ОЗУ.) Конечно, были случаи, когда система вообще отказывалась стартовать на повышенных частотах с установленными модулями. Она «зависала» на этапе процедуры самотестирования при включении питания POST (это когда я слишком оптимистично оценивал модули DIMM некоторых марок :-)). В этом случае с проблемой помогала бороться имеющаяся на плате Epox Watch Dog Function, хотя в принципе, работа этой функции и вызывала у меня нарекания (по крайней мере, аналогичная функция Watch Dog ABS на рассматриваемых мной ранее платах AOpen работала гораздо лучше). Впрочем, подобные мелочи не в состоянии остановить настоящего гонщика-оверклокера :-)! Поехали…

Попомним

Начнем с модулей, которые мы при всем желании не можем отнести к известнейшим за пределами Украины :-) брэндам.

Приступим мы к изысканиям, для почину установив в плату модули памяти DDR 400 PMI (рис. 5, 6). В SPD тайминги для частоты DDR 400 у DIMM PMI прописаны в виде 3-3-3-8, но, как уже говорилось, мы принудительно с помощью настроек BIOS переводим модули ОЗУ в режим работы 2.5-3-3-7. Заводим машину. Она стартует со следующими частотными характеристиками: процессор 2417.5 МГц, FSB 201.5 МГц (реальная частота DDR-памяти определяется умножением именно этой частоты на 2, то есть в действительности наша память DDR 400 работала в данном случае как DDR 403 МГц), QPB (характеризует реальную частоту передачи данных по системной шине, QPB = FSB x 4) — 805.8 МГц. Показатели производительности, полученные в штатном режиме работы системы, вы можете увидеть на диаграммах 1-4.

Рис. 5.   Рис. 6.

Ну что ж, обычные возможности памяти DDR 400 от PMI мы уяснили, теперь определим ее разгонный потенциал. Разгоняем, разгоняем… Ага, вот мы и добрались до «магической» цифры DDR 466 МГц (CPU — 2807.1 МГц, FSB — 233.9 МГц, QPB — 935.7 МГц), выше которой память отказывалась работать устойчиво. При этом DIMM’ам PMI не помогло ни повышение напряжения, ни замедление таймингов. Да, с замедленными таймингами уровня 3-4-4-8 память «стартовала», и даже работала, проходились тесты, но все же функционирование ОЗУ нельзя было назвать устойчивым — при длительной работе ПК происходили сбои. Для нас же самое интересное в том, что с таймингами 3-4-4-8 на частоте, скажем, DDR 470 МГц (CPU — 2829.5 МГц, FSB — 235.8 МГц, QPB — 943.2 МГц), из-за более низкого быстродействия подсистемы памяти производительность ПК в целом снижалась, что вы можете увидеть на диаграмме 5.

Диаграмма 1   Диаграмма 2

Диаграмма 3   Диаграмма 4

Диаграмма 5

А каковы же практические результаты разгона с сохранением устойчивой работы? На частоте DDR 466 МГц, при росте частоты обмена данными на каналах ОЗУ на 16.5%, по сравнению со штатным режимом работы, производительность подсистемы памяти выросла на те же 16% (диаграмма 1), равно как и общая производительность системы увеличилась на 16-17% (диаграммы 2-4). В общем-то, вполне предсказуемый результат.

Естественно, в полученный прирост производительности ПК внесли свой вклад увеличившаяся частота системной шины и как следствие возросшая частота процессора. Однако не стоит забывать, что всего этого нам удалось добиться именно благодаря разгонному потенциалу памяти, а не каким-либо иным способом! Так что заслугу в росте быстродействия компьютера можно с полным правом приписывать именно подсистеме ОЗУ и конкретным модулям DIMM.

А VaM все равно…

Вторым на опытную плату :-) был установлен некий уж совсем нонейм под именем :-)VM (рис. 7, 8). Его производительность на штатной частоте DDR 400 МГц вы можете проследить по диаграммам 1-4.

Рис. 7.   Рис. 8.

Нужно отметить, что в штатном режиме работы памяти (DDR 400) показатели производительности компьютера схожи для конфигураций с модулями от разных производителей. Это не удивительно, ведь частоты процессора и системной шины при этом полностью совпадают, не отличаются и тайминги модулей, а всю проявляющуюся при этом разницу в производительности целиком можно списать на погрешности измерения. Поэтому для остальных модулей памяти показатели работы в штатном режиме мы приводить не будем, чтобы не «перегружать» диаграммы.

Память VM с таймингами 2.5-3-3-7 (по умолчанию в SPD-блоке для DDR 400 прописаны значения 2.5-3-3-8) приблизилась к пределу своего разгонного потенциала на частоте DDR 454 МГц (CPU — 2732.6 МГц, FSB — 227.7 МГц, QPB — 910.9 МГц). Выше которого она отказывалась работать и на лучшем :-) питании, и при увеличении задержек до 3-3-3-8. Производительность системы с «первым достижением» для DIMM DDR454 VM можно увидеть на диаграммах 1-4. Результат здесь вполне прогнозируемый — при росте тактовой частоты памяти на 13.5% (по сравнению с DDR 400) измеренный прирост быстродействия ОЗУ достиг этой же отметки (диаграмма 1), а в тестовых приложениях — и всех 14% (диаграммы 2-4, наложились эффекты от увеличения частот ЦПУ, FSB и самой памяти, что ли :-)?).

В самом «заторможенном» режиме 3-4-4-8 память VM дотянула до 460 МГц. Но в том что толку от этого никакого, вы можете убедится, глядя на диаграммы 1-4. Ведь производительность ПК в таком режиме упала примерно на 1%, по сравнению с предыдущим «достижением».

нAM 1, пожалуйста

Еще одни наши подопытные, неизвестно каким путем оказавшиеся на рынке Украины, — модули DIMM AM 1 (рис. 9, 10). (Вроде бы это продукция Apacer или, если угодно, Acer Group, но наверняка утверждать не берусь.).

Рис. 9.   Рис. 10.

Ничем особенным данные модули не удивили. Память с таймингами 2.5-3-3-7 «догналась» до частоты DDR 464 МГц (CPU — 2795.6 МГц, FSB — 233.0 МГц, QPB — 931.9 МГц), выше которой ее, подобно PMI, не удалось заставить работать ни за какие коврижки. Результаты AM 1 — на диаграммах 1-4.

Открыть Kingston’ы!

Память Kingston, в отличие от всех остальных, рассмотренных нами, поставляется в индивидуальной пластиковой упаковке (рис. 11, 12), в которой помимо самого модуля находится еще и листик-инструкция. Но что же мы получаем, доставая из красивой коробочки эти модули? Откровенно говоря, они сильно разочаровали, особенно после рассмотренного ранее почти :-) нонейма. Дело в том, что «практический потолок» DIMM Kingston оказался на уровне DDR 440 МГц (CPU — 2646.7 МГц, FSB — 220.6 МГц, QPB — 882.2 МГц), что хуже показателей рассмотренных выше «безызвестных» модулей. При увеличении напряжения питания и замедлении таймингов модуль вел себя так же, как PMI и AM 1, — дополнительной частоты (при сохранении стабильности работы) из него не удалось выжать ни на йоту.

Рис. 11.   Рис. 12.

Остается еще один путь — для сочетания с такими модулями можно приобрести более высокочастотный процессор (с более высоким коэффициентом умножения, нежели стандартно используемый нами х12, например, х16). И тогда от системы с памятью Kingston можно добиться действительно выдающихся результатов. Только вот процессор с коэффициентом умножения х16 — это недешевый Pentium 4 3.2 ГГц, что слегка портит бравый оптимизм от наличия альтернативного подхода.

Результаты Kingston’а DDR 440 — на диаграммах 1-4. По производительности система с разогнанным до «предела» Kingston’ом превзошла штатный режим на те 10%, на которые и была разогнана :-). Прирост же тактовой частоты процессора на 880 МГц (до 3.52 ГГц, благодаря изменению х12 на х16) позволил «выжать» из компьютера еще каких-то жалких 4% ускорения при работе с ОЗУ (диаграмма 1). Зато от увеличившейся тактовой частоты ЦПУ в реальных приложениях мы получили выигрыш в быстродействии еще на 21-25% (т.е. до четверти (!), диаграммы 2-4).

Sam’ый-Sam’ый?

Samsung, известнейший брэнд, который славится множеством прекрасных продуктов. Но вот насчет памяти от этого производителя бытует устойчивое мнение, что в плане оверклокинга она, мягко говоря, не очень. Так ли это? Ну что ж, попробуем ответить на этот вопрос.

Итак, устанавливаем DIMM’ы Samsung (рис. 13, 14) в плату и начинаем эксперименты. Тайминги, как обычно, стоят 2.5-3-3-7. Стартуем на DDR 440… Не работает. DDR 420… Снова полное фиаско, система даже не стартует — не может пройти POST. В общем, оказалось, что при таймингах 2.5-3-3-7 модули Samsung гонятся аж… до DDR 412 МГц (CPU — 2480.5 МГц, FSB — 206.7 МГц, QPB — 826.8 МГц).

Рис. 13.   Рис. 14.

М-да. Ну и что же, делаем выводы о плохих оверклокерских способностях? Не торопитесь с выводами! Дело в том, что модули Samsung вели себя при разгоне далеко не так, как DIMM других производителей. Для них было характерно сохранение стабильности работы при существенном увеличении частоты, при условии, что росли и значения таймингов.

Что же мы можем «выжать» из модулей Samsung, «переставляя» тайминги? С задержками 2.5-3-3-7 частота повышается, по сравнению со штатной (DDR 400), всего на 3%, адекватно возрастает и производительность системы в целом. Однако по сравнению с этим результатом, производительность ПК можно поднять еще на 12-13%, замедлив тайминги памяти до значений, указанных для DDR 400 в SPD (3-3-3-8). В таком режиме (CPU — 2795.6 МГц, FSB — 233.0 МГц, QPB — 931.9 МГц) нарастить частоту памяти удалось до DDR 464 МГц (это подозрительно близко и к пределу для PMI и AM 1 с их штатными таймингами 3-3-3-8 для частоты выше 400 МГц, не правда ли?). Весьма неплохо. Но можно еще!

Установив задержки на возможный для BIOS максимум 3-4-4-8, работоспособную частоту модулей Samsung удалось довести до 490 МГц, на 22.5% превысив штатный режим по частоте! Правда, из-за медленных таймингов производительность разогнанной системы при этом превысила предыдущий (464 МГц) вариант всего на каких-то 3-4%, но зато каков сам результат :-) в 490 МГц (CPU — 2952.3 МГц, FSB — 246.0 МГц, QPB — 984.1 МГц)! Кстати, с памятью Samsung система загружалась даже на 500 МГц, хотя работала, конечно же, нестабильно. Для сравнения, с модулями Kingston ПК уже в варианте с DDR 460 МГц не мог даже стартовать.

Если прирост в 3-4% кажется ничтожным, то дополнительного выигрыша в производительности (еще плюс ~12%) можно добиться за счет процессора с большим коэффициентом умножения (х14, соответствует Pentium 4 2.8C ГГц) и получить частоту ЦПУ в 3444.4 МГц. (К сожалению, массово выпускаемые процессоры Pentium 4 не позволяют изменять коэффициент умножения, он у них жестко зафиксирован. Дать стопроцентных гарантий, что купленный Pentium 4 2.8C ГГц разгонится до 3.4 ГГц я тоже не могу.)

Результаты разгона, полученные с модулями памяти Samsung, приведены на диаграммах 1-4.

Нас же интересует еще одно. В чем причина наблюдаемых при разгоне DIMM Samsung явлений :-)? Возможно, модули Samsung наиболее честно отрабатывают тайминги, а остальные модули, ориентируясь на тайминги, заданные BIOS, все-таки «себе на уме» и действуют по своему SPD-шному разумению? Или все дело в «волшебной» дополнительной задержке, характерной для модулей Samsung (помните, в 3-й части статьи «Памятные надписи», МК №41(264)? Мы отмечали, что если остальные производители указывают на модулях тайминги 30330 (т.е. 3.0-3-3-0) (рис. 15), то Samsung пишет 30331 (3.0-3-3-1) (рис. 16). Что это за дополнительная задержка? В статье «Памятные надписи» я сделал предположение, что это tRRD (RAS to RAS Delay time, она же Bank to Bank delay time). Хотя, может быть, это Write/Read Delay, т.е. задержка перед операцией записи/чтения в память. У меня нет на сей счет достоверных данных. Однако, возможно, что причина «особенностей» модулей Samsung кроется именно в этой задержке, позволяющей сохранить стабильность работы на высоких частотах. Не знаю. В общем, ребята, у настоящей брэндовой продукции таки есть своя загадочная прелесть.

Рис. 15.   Рис. 16.

Улётная память

Hynix — крупный производитель памяти, который, к нашему счастью, жив, несмотря на все усилия конкурентов :-). Не скажу, что первые модули Hynix, попавшие на тестирование, претендуют на стопроцентную оригинальность :-), но что собраны они на Hynix’овских микросхемах, это точно (рис. 17, 18). Причем микросхемы эти оказались не простые, а 4.3-наносекундные (рис. 19). А ведь на всех ранее рассмотренных модулях DDR 400 стояли 5-нс микросхемы (1000/5 = 200 (DDR 400) МГц; вообще-то, научный расчет выглядит несколько иначе: (1/(5 х 10-9 сек.) = 2 х 108 раз за секунду = 200 МГц, но главное, чтобы результат оказался верным, правильно :-)?). Такая характеристика позволяла ожидать от модулей Hynix недюжинных оверклокерских способностей (1000/4.3 = 232.6 (DDR 465) МГц). Оправдают ли они эти ожидания? Ну что ж, посмотрим.

Рис. 17.   Рис. 18.

Рис. 19.

С таймингами 2.5-3-3-7 похожий на оригинальный :-) Hynix дотянул до DDR 458 МГц (CPU — 2755.5 МГц, FSB — 229.6 МГц, QPB — 918.5 МГц). Неплохо, но и не скажу, что слишком впечатляюще. Тайминги 3-3-3-8 не позволили добиться от памяти ни единого мегагерца более (по видимому, модуль достиг «критических» значений -3-3- для -DRAM RAS# to CAS# Delay — DRAM RAS# Precharge-). Зато в режиме 3-4-4-8 DIMM Hynix показали себя! Была достигнута «скорость» в DDR 508 МГц (CPU — 3056.7 МГц, FSB — 254.7 МГц, QPB — 1018.9 МГц) — великолепный результат! Безусловно, это лучший среди стандартных модулей DDR 400, в чем легко убедится, глядя на диаграммы 1-4.

Ай да Hynix, ай да молодец! Теперь понятно, почему компанию хотели задавить конкуренты — по сравнению с DIMM Hynix их модули выглядят просто нелепыми поделками :-).

Но все же меня смущала одна вещь. Не слишком эти модули (рис. 17, 18) соответствовали понятию Hynix original. Для подстраховки я взял образцы с оригинальной Hynix’овской наклейкой (рис. 20, 21). И что вы думаете? На них были установлены точно такие же 4.3-нс микросхемы! Однако, к сожалению, оригинальный Hynix не смог повторить результаты своего более «простого» коллеги. Для таймингов 2.5-3-3-7 частотный предел оригинальных модулей оказался на уровне DDR 444 МГц (CPU — 2675.3 МГц, FSB — 222.9 МГц, QPB — 891.8 МГц) . А с задержками 3-4-4-8 данная память достигла своего предела на частоте 490 МГц. Правда, Hynix все равно остался лучшим среди DDR 400 модулей. Благодаря отсутствию той самой дополнительной задержки (рис. 15), быстродействие ПК с DDR 490 модулями Hynix чуть повыше, чем с Samsung’овскими на той же частоте (диаграммы 1-4). Хотя работали все DIMM при одних и тех же частотах иных компонентов системы (процессора, системной шины и проч.). Правда, преимущество это мизерное, менее 1%, но все же стабильное — среднее значение результатов Hynix неизменно выше в каждом из тестов.

Рис. 20.   Рис. 21.

О чем нам говорит замеченная разница в разгонном потенциале между оригинальными модулями Hynix и модулями, на них похожими? О том, что приведенные в статье результаты тестирования дают ориентировку, но никак не являются абсолютной истиной в последней инстанции. Модуль памяти, как всякое многокомпонентное устройство, зависит от качественных характеристик буквально каждой из установленных на нем микросхем. И если одна из них окажется «слабее», «медленнее» других, то именно по ней и будет определятся разгонный «потолок» для всего модуля памяти всей системы в целом. Так что здесь многое зависит просто от того, насколько повезет покупателю с конкретными моделями DIMM.

Однако из результатов, показанных продукцией Hynix, можем сделать вывод о том, что параметр времени доступа у микросхем (например, 5 или 4.3 нс и т.п.) все еще не утратил своей актуальности :-) и является очень критичными при разгоне. Чем меньше его значение, тем на большие результаты при разгоне ОЗУ (и ПК в целом) мы можем рассчитывать.

A-Data, а нате…

В общем, как мы убедились, наши опасения отчасти оправдались. Если вам предложат оверклокерскую память (DDR 433 или DDR 450) по цене, сильно превышающей обычную для модулей DDR 400, — не ведитесь, отвергайте такие предложения. Ведь как мы убедились, большинство модулей, даже нонейм, способны работать на такой частоте (надеюсь, попавший ко мне Kingston — это просто неприятное исключение из правил). А вот что касается частоты DDR 500, то ее в работоспособном состоянии :-) достигла только парочка модулей Hynix, причем, как мы увидели выше, такой результат вовсе не характерен абсолютно для всех DIMM от этой компании.

Одним словом, что-то в официальных DIMM DDR 500 есть. Что? А сейчас и выясним, благо, у нас в наличии 2 планочки по 256 Мб DDR500 от A-Data (рис. 22, 23). Вставляем их в плату, заводимся и… не можем нарадоваться, система работает с 1000 МГц QPB шиной (FSB 250 МГц) просто на ура! При этом тайминги работы модуля по SPD выставлены на максимальные (для имеющихся в BIOS платы Epox) задержки: 3-4-4-8. Но благодаря высокой тактовой частоте (возросшей на 25% для системной шины, каналов ОЗУ и процессора), даже с такими таймингами, система с памятью DDR 500 превосходит штатный ПК с DDR 400 более чем на 22% по пропускной способности подсистемы памяти (диаграмма 1) и на 21-23% — по производительности (диаграммы 2-4). Блестяще, но интересно, каковы же частотные «пределы» официально оверклокерской памяти?

Рис. 22.   Рис. 23.

С напряжением питания 2.7 В память удалось «раскочегарить» до 532 МГц (т.е. ускорить на 6.4%, что примерно соответствует и общему приросту быстродействия ПК от этого разгона в целом). Впрочем, повысив напряжение питания DIMM до 2.9 В (благо, на модулях A-Data стоят пассивные рассеиватели тепла, то бишь радиаторы), удалось довести частоту памяти до 540 МГц. При этом память грелась так, что становилось за нее страшновато :-). Поэтому если вы все же рискнете задействовать у себя в ПК такой (DDR 540 МГц) режим работы, то настоятельно рекомендую установить над модулями DIMM обдувающий их дополнительный вентилятор. Иначе не исключен вариант, когда за последствия разгона придется расплачиваться :-) еще одной покупкой модулей DIMM. Впрочем, память A-Data в качестве DDR 540 МГц при питании 2.9 В отработала все положенное без сбоев (в отличие от более высоких частот), обошлось и без дополнительного охлаждения (однако в моем ПК нет корпуса :-)), так что на этой частоте все же признана годной к строевой службе :-). А с DDR 540 МГц система опережает предыдущий разгонный вариант (DDR 532 МГц) по быстродействию процента на полтора. Согласен, маловато, особенно с учетом риска спалить память. Поэтому и в данном случае проведем эксперимент по увеличению коэффициента умножения процессора со стандартного в ходе этого тестирования значения х12 на х13. Результат налицо, точнее, на диаграммах 2-4, — от ПК удалось получить еще около 6.5% прироста быстродействия в реальных приложениях.

К сожалению, не было возможности посмотреть, что за микросхемы памяти стоят на модулях A-Data (радиаторы приклеены к чипам), но скорее всего, это 4-наносекундные микросхемы (1000/4 = 250 (DDR 500) МГц).

Памятные итоги

Я, конечно, извиняюсь, что в тестировании не участвовали обещанные NCP и PQI. Но за четыре недели, в течение которых я их искал, я их так и не нашел. Ибо, как оказалось, под строчкой в прайсах типа «DDR 256 Mb, 400 MHz, PC-3200, PQI,NCP и т.п.» как раз и скрываются всевозможные «и т.п.», типа PMI, VM, AM1 и др., а вовсе не PQI и NCP. Впрочем, я не думаю, чтобы эти модули показали бы нечто оригинальное в плане разгона, и скорее всего, они уложились бы в оверклокерский диапазон на частотах DDR 440-465 МГц.

Как показывают наши нынешние изыскания, не все модули ОЗУ одинаково полезны для разгонщиков :-). На что же ориентироваться при выборе модулей оперативной памяти? В первую очередь, нужно смотреть на время доступа, указанное на микросхемах. Ибо есть большая вероятность того, что чем меньше время доступа у чипов памяти, тем сильнее удаться разогнать модуль DIMM. Продукция Hynix — живой тому пример.

Нужно ли обращать внимание на имя производителя? Опять же, практика показала, что модуль, очень похожий :-) на оригинальный Hynix, оказался предпочтительнее в плане разгона, чем оригинальное изделие от производителя. Так что однозначного ответа здесь дать нельзя, хотя при прочих равных условиях предпочтительнее все же брэндовая продукция.

Не стоит забывать и о том, что всегда нужно сопоставлять возможности разгона памяти и потенциал оверклокинга приобретаемого ЦПУ. С учетом предела разгона нынешних недорогих процессоров Pentium 4 С в диапазоне где-то от 3 до 3.2 ГГц, можно ориентировочно прикинуть, что при разгонном потенциале среднестатистической DDR 400 памяти около DDR 450 МГц, оптимальным выбором из CPU на сегодня будет Pentium 4 С 2.8 ГГц (3100 МГц CPU / 225 МГц FSB  х14, такой коэффициент умножения соответствует именно Pentium 4 С 2.8 ГГц).

Если вы абсолютно уверены в хорошем разгонном потенциале не только DDR-памяти, но и вашей материнской платы, то рациональнее остановить свой выбор на еще менее высокочастотном (до разгона :-)) процессоре, например Pentium 4 2.6 С ГГц, и запросто сделать из него 3.2 ГГц чип (250 МГц FSB (DDR 500 память) х 13 = 3250 МГц ЦПУ).

А если уж вы потратились на Pentium 4 3.2 ГГц, то с учетом его множителя х16 и предельной частоты ~3.6 ГГц, память к нему можно брать практически любую. Так как здесь даже при показанном Kingston «минимуме» в DDR 440 МГц частоту процессора реально довести практически до его разгонного предела (220 МГц FSB х 16 = 3520 МГц).

Приобретать ли высокочастотную память, «официальную» DDR 500 и выше? Ну, это если есть желание. Хотя с учетом вдвое более высокой цены этих модулей по сравнению с обычными DDR 400, а также того, на 250-МГц шине многие процессоры могут и не заработать… Напрашивается соответствующий вывод.

Какие еще можно сделать выводы из всего вышеизложенного? Думайте сами, решайте сами :-), сводные данные по модулям смотрите в таблице 1. Мне же в завершение статьи остается лишь выразить благодарности:

украинскому представительству корпорации Intel за процессор Pentium 4 3.2 ГГц с незаблокированным коэффициентом умножения;

компаниям:

«А-Гама» за модули памяти DDR 400 VM, Samsung, A-Data и похожие на оригинальные Hynix;

«К-Трейд» за оригинальные DDR 400 DIMM Hynix, PMI и AM 1, жесткий диск Seagate Barracuda 7200.7 40 Гб;

«Укркомплект» за плату Epox EP-4PDAI и память Kingston DDR 400;

себе любимому за УЙМУ времени, затраченного на исследование «памятных» возможностей.

Таблица 1

Рекомендуем ещё прочитать:






Данную страницу никто не комментировал. Вы можете стать первым.

Ваше имя:
Ваша почта:

RSS
Комментарий:
Введите символы или вычислите пример: *
captcha
Обновить





Хостинг на серверах в Украине, США и Германии. © www.sector.biz.ua 2006-2015 design by Vadim Popov