CFA LogoCFA Logo Computer
Загрузка поиска
Новости Компьютеры Прайс-лист [Новое] Прайс-лист [Б/У] Для ноутбуков Конфигуратор ПК Заказ, Оплата, Доставка Сервис объявления Драйвера Статьи Как нас найти Контакты
Новости
RSS канал новостей
То, что энтузиасты ждали так долго, наконец-то случилось, и компания NVIDIA анонсировала свой новый ...
Официальный анонс графического ускорителя GeForce GTX 1080 Ti состоялся 1 марта, и партнеры NVIDIA ...
Компания ASRock представила мировой общественности материнскую плату H110-STX MXM, которая рассчитана ...
Компания MSI в рамках серии Arsenal Gaming представляет пользователям материнские платы линейки ...
По данным наших коллег, в этом месяце компания Huawei официально представит свой новый смартфон. ...
Самое интересное
Программаторы 25 SPI FLASH Адаптеры Optibay HDD Caddy Драйвера nVidia GeForce Драйвера AMD Radeon HD Игры на DVD Сравнение видеокарт Сравнение процессоров

АРХИВ СТАТЕЙ ЖУРНАЛА «МОЙ КОМПЬЮТЕР» ЗА 2003 ГОД

Памятные надписи

Владимир СИРОТА vovsir@yandex.ru

Продолжение, начало см. в МК, №37 (260), 38 (261).

Вспомнить все

Продолжаю отвечать на вопросы заинтересованной публики. Меня часто (по крайней мере, один раз :-)) спрашивают, а че, мол, это за значение такое популярное у DDR-памяти —CL 2.5. Ведь если все прочие описанные в статье задержки в работе ОЗУ (измеряющиеся в системных тактах на шине памяти) имеют нормальные целочисленные значения, то CL, видите ли, выбился из колеи — для него присутствует некое 2.5. Ну вы, блин, даете! Вы, наверное, по ошибке принимаете меня за какого-то слишком крупного специалиста в области оперативной памяти. Как жаль, что вы ошибаетесь :-). Уже по ходу написания статьи я узнаю для себя много нового. Ну ладно, за проявленную лесть :-) я готов ответить на вышеприведенный простой вопрос. Итак, как мы уже узнали из первой части этой статьи, CL (CAS Latency) = 2 означает, что после запроса доступа к конкретной ячейке памяти (в матрице ОЗУ) сигналом CAS и до появления хранящихся там данных для их считывания на выводах модуля пройдет минимум 2 такта. (При этом подразумевается, что обращение к нужной строке памяти уже было осуществлено заранее, эта строка имеет нормальный заряд конденсаторов и не требует подзарядки, скажем, после недавнего предыдущего обращения.) Если же мы говорим о значении CL = 2.5, то это значит, что после запроса к данным в ячейке и до их появления на выводах линий данных модуля пройдет минимум два с половиной такта. Эта «половинка» стала возможной потому, что память типа DDR передает за каждый такт (стробирующий импульс) на шине памяти 2 порции данных (рис. 1). То есть DDR может начать пересылку данных за полтакта, передав только одну порцию информации, отсюда и значение 2.5. Такой параметр не был присущ модулям обычной SDR SDRAM (РС100, PC133 и т.п.) по той причине, что они не могли осуществить передачу данных за полтакта, а потому и значение CL для них всегда являлось целочисленным. Надеюсь, вы уловили суть. А теперь перейдем к основной теме данной части статьи — к описанию маркировки модулей памяти компании Micron.

Рис. 1.

ОMicron

О маркировке модулей, выпускаемых компанией Micron, следует сказать несколько теплых слов, складывающихся в текст следующего содержания: «Маркировка модулей Micron для обычной SDR- и DDR-памяти описывается по единому принципу». То есть наше прочтение обозначений на модулях памяти производства Micron в одинаковой степени применимо и к модулям PC133 SDRAM, и к планкам DDR 400, и даже к модулям, оснащенным памятью DDR II. Это характеризует производителя с лучшей стороны. Но более расхваливать компанию мы не станем, а сразу перейдем к рассмотрению маркировки Micron’овских модулей (рис. 2).

Рис. 2.

Место [1-2] в этой маркировке всегда занимают буквы МТ Micron Technology. Позиция [3] (здесь может быть несколько цифр) указывает на количество микросхем памяти, установленных на модуле (Number of Memory Components). [4]-й символ в официальной интерпретации носит название Process Technology, и указывает он на параметры питания модуля и, соответственно, его тип. Значения здесь могут быть следующие: L — 3.3 В SDRAM, V — 2.5 В DDR SDRAM и, наконец, Н обозначает 1.8-вольтовый модуль DDR II SDRAM.

На [5-6-7] местах (Product Family) «закодирована» информация о типе используемой на модуле памяти и упаковке микросхем. Вариантов здесь не просто много, а множество:

DDD — DDR SDRAM Die (это не означает «гиблая память» :-));

DDF — DDR SDRAM FBGA;

DDS — DDR SDRAM 2SOP;

DDT — DDR SDRAM TSOP;

SD — SDRAM;

SDD — SDRAM Die;

SDF — SDRAM FBGA;

SDT — SDRAM TSOP;

TF — DDR2.

Позиции [8-9] указывают на «насыщенность» (Depth) ячейками памяти (в миллионах штук) используемых в модуле отдельных микросхем.

Символы [10-11] в соответствующей спецификации Micron определяются как Width, то есть речь идет о ширине шины данных модуля. Значение это представлено (и проставлено в маркировке) прямо в битах.

Варианты

[12] — здесь должна быть расположена важная буковка (или несколько), в которой «умещается» информация о версии данного модуля (Module Version). А вариантов предлагается действительно множество.

Судите сами:

Blank (отсутствие обозначения) — может свидетельствовать, что перед вами 168-pin/184-pin/240-pin registered DIMM (т.е. буферизированный модуль для серверов со 168, 184 или 240 контактами; отличить регистровый модуль можно по наличию на нем микросхем тех самых буферов —рис. 3);

A — 168-pin/184-pin/240-pin unbuffered DIMM (небуферизированный модуль памяти для массовых ПК);

C — Reserved (зарезервировано);

H — 144-pin/200-pin SODIMM (модуль для ноутбуков);

— 200-pin registered DIMM;

LA — Low-power, 168-pin/184-pin unbuffered DIMM (малопотребляющий 168- или 184-контактный модуль, небуферизированный. Напомню, что 168 контактов — стандарт, утвержденный JEDEC для модулей обычной (SDR) SDRAM — PC100, PC133 и т.п. (рис. 4), а 184 контакта — это уже спецификация для модуля DDR SDRAM (рис. 5));

LH — Low-power, 144-pin SODIMM;

M — 208-pin registered DIMM, SPD1 (SPD — Serial-Presence Detect, в этом блоке хранится извлекаемая BIOS ПК информация о характеристиках конкретного модуля; все массовые модули SDRAM и DDR SDRAM памяти производства Micron имеют этот блок (рис. 6), как, впрочем, и изделия остальных именитых производителей модулей памяти);

M2 — 208-pin registered DIMM, SPD2;

— 208-pin registered PDIMM, SPD1;

N2 — 208-pin registered PDIMM, SPD2;

PH — 144-pin/200-pin unbuffered SODIMM with PLLs;

RH — 144-pin/200-pin registered SODIMM;

RM — 244-pin registered MiniDIMM;

— 100-pin unbuffered DIMM;

W — MicroDIMM 144-pin SDR/172-pin DDR (модуль уменьшенных габаритов).

Рис. 3.   Рис. 4.

Рис. 5.   Рис. 6.

Об особенностях микросхем, содержащихся на модуле, а также о некоторых характеристиках самого модуля можно узнать, «прочитав» символ(ы), расположенные на позиции [13]. Список здешних обозначений лучше смотрится, если его свести в таблицу, так что наслаждайтесь —таблица 1.

Таблица 1

На [14]-й позиции в маркировочном списке расположился дефис, а вот «места» [15-16-17] представляют для нас немалый интерес. Как вы уже, наверное, догадались, именно здесь сокрыта информация о «скоростных» характеристиках модуля памяти (Module Speed). Раскроем же эту информацию.

1. Для 100-контактных (100-pin) SDRAM DIMM:

1.1 10 — 100 МГц, CAS Latency = 2;

1.2 — 125 MГц, CAS Latency = 3;

1.3 75 — 143 MГц, CAS Latency = 3.

2. Для 168-контактных (168-pin) DIMM SDRAM:

2.1 662 — 66 MГц, CAS Latency = 2, (CL–tRCD–tRP) = (2-2-2);

2.2 10C — 100 MГц, CAS Latency = 3 (3-2-2);

2.3 10E — 100 MГц, CAS Latency = 2 (2-2-2);

2.4 133 — 133 MГц, CAS Latency = 3 (3-3-3);

2.5 13E — 133 MГц, CAS Latency = 2 (2-2-2).

3. Для 184-контактных (184-pin) DDR SDRAM DIMM:

3.1 201 — DDR 200, CAS Latency = 1.5, (CL–tRCD–tRP)=(1.5-2-2);

3.2 202 — DDR 200, CAS Latency = 2 (2-2-2);

3.2 265 — DDR 266, CAS Latency = 2.5 (2.5-3-3);

3.3 26A — DDR 266, CAS Latency = 2 (2-3-3);

3.4 262 — DDR 266, CAS Latency = 2 (2-2-2);

3.5 335 — DDR 333, CAS Latency = 2.5 (2.5-3-3);

3.6 40B — DDR 400, CAS Latency = 3 (3-3-3);

3.7 405 — DDR 400, CAS Latency = 2.5 (2.5-3-3).

4. Для иных (100-контактных) DDR SDRAM модулей:

4.1 75 — DDR 266, CAS Latency = 2.5;

4.2 75Z — DDR 266, CAS Latency = 2;

4.3 6 — DDR 333, CAS Latency = 2.5.

5. Для DDR II SDRAM модулей:

5.1 40E — DDR II-400, 200 МГц (PC2-3200), CAS Latency = 3, (CL–tRCD–tRP) = (3-3-3);

5.2 53E — DDR II-533, 267 МГц (PC2-4300), CAS Latency = 4 (4-4-4).

Как видим из приведенных выше характеристик, Micron выпускает самые быстрые на сегодня DDR 400 модули памяти для массового рынка. Тогда как у Samsung и Hynix наиболее «скоростные» из серийно производимых модулей DDR 400 могли похвастать параметрами CL–tRCD–tRP на уровне «всего лишь» 3-3-3, то Micron может похвалиться подобными изделиями с таймингами 2.5-3-3.

Но проследуем по нашему «списку» дальше. Пункт [18] носит официальное название Die Revision Designator (что я могу перевести, как «маркер обозначения ревизии» модуля. К сожалению, никакой дополнительной информации по этому пункту привести не могу, равно как и по следующему —[19], который «обзывается» Printed Circuit Board Revision Designator and Low-Profile Designator (ну, типа «место для обозначения ревизии платы и ее низкого профиля»).

Micron’ный процесс

Ну вот, с теорией по маркировке модулей памяти Micron, можно считать, покончено. Переходим к практическим опытам. С надписью 128МВ, DDR, 333MHz, CL2.5 (рис. 7), думаю, все ясно. Для получения дополнительных сведений внимательно изучаем надпись MT4VDDT1664AG-335C3 (рис. 7) на Micron’овском модуле памяти (рис. 5). МТ [1-2] — ну, с этим все понятно. Цифра 4 на [3]-й позиции говорит нам о наличии на плате модуля 4-х микросхем. В том, что это правда, мы легко убеждаемся, глядя на рисунок 5 :-). Следующая по порядковому номеру [4] буква V свидетельствует о том, что наш модуль рассчитан на напряжение питания 2.5 В. Затем следует DDT [5-6-7]. Конечно, к популярной группе это обозначение никакого отношения не имеет :-), оно говорит нам о другом — на платке модуля напаяны микросхемы памяти DDR SDRAM в упаковке TSOP. На позициях [8-9] видим 16. Это значит, что на каждой микросхеме в нашем модуле уместилось по 16 миллионов ячеек памяти. Ширина шины данных модуля — 64 бит (о чем свидетельствует цифра 64 [10-11]), то есть модуль без коррекции ошибок. (Здесь можем выполнить контрольную проверку. На модуле у нас микросхемы 16Мх16. То есть каждый из чипов содержит 16 млн. 2-байтных ячеек. Емкость одной микросхемы 16х2 = 32 Мб. На модуле 4 микросхемы. 4 х 32 = 128 Мб — наша расчетная емкость совпала с «паспортной» для модуля. 16 бит ширины внешней шины каждой микросхемы множим на 4 — получаем 64 бит шины данных модуля. Да, мы весьма преуспели в расчетах.)

Рис. 7.

Буква А на [12]-й позиции говорит о том, что это небуферизированный 168/184 или 240-контактный модуль памяти. А поскольку мы уже знаем, что он DDR, то версию о 168 контактах сразу отбрасываем. И, не пересчитывая ножки модуля, сразу заявляем что их 184 — именно столько имеют DDR-модули для «массовых» ПК.

Следующая в «списке» маркировки буква G [13] дает нам понять, что нас в этом модуле явно не обделили свинцом.

За дефисом [14] мы наблюдаем «цифросочетание» :-)335 [15-16-17]. Согласно нашим теоретическим записям, это дает нам повод со 100%-ной вероятностью утверждать что перед нами-таки модуль DDR 333 с CAS Latency = 2.5 и таймингами CL–tRCD–tRP = 2.5-3-3. И последние символы маркировки С [18] и [19], увы, не говорят нам ни о чем конкретном.

Интересные наблюдения

«Ей ты, — вежливо заметят мне внимательные читатели надписей на модулях памяти, — а что это ты читал обозначения на модулях Samsung и Hynix только снизу и посередине? А скажи-ка, шо это там у них сверху?». Ну что ж, совершенно справедливое замечание. Обратим свои взоры на надписи повыше. В ходе чтения предыдущих частей статьи вам, вероятно, бросились в глаза довольно похожие надписи «сверху» на модулях Samsung («PC2700U-25331-…», рис. 8), Hynix (PC2700U-25330, рис. 9) и Micron (PC2700U-25330-С1, рис. 7). Понятно, что это не закодированное слово «Распутин» :-). Более того, аналогичные надписи имеются и на модулях DDR 400 от этих производителей: например, на планке DDR 400 Samsung это PC3200U-30331-B2 (рис. 10), на модуле DDR 400 Hynix — PC3200U-30330 (рис. 11).

Рис. 8.   Рис. 9.

Рис. 10.   Рис. 11.

Вы спрашиваете, что бы это значило? Ну джентльмены, для того, чтобы понять эти надписи, нам не понадобится не только Шерлок Холмс, но даже Доктор Ватсон. С обозначениями PC2700U и PC3200U всем, хоть изредка читающим наше издание, все должно быть ясно. Общеизвестно, что это указание на конкретный тип памяти — DDR 333 и DDR 400, с пропускной способностью до 2.7 Гб/с и 3.2 Гб/с соответственно. U — это свидетельство того, что модуль Unbuffered, то есть нерегистровый. А вот что там за цифирьки после тире? Смею утверждать, что это те самые очень интересующие пользователей тайминги. Надпись 2533… соответствует 2.5-3-3, а 3033… — соответственно 3-3-3 для параметров CL–tRCD–tRP. Но тут возникает вопрос, что же это за 4-е обозначение приведено в перечне таймингов модуля —25331, 25330, 30331 и 30330? Утверждать не берусь, но могу предположить, что это описанный в предыдущей части статьи параметр tRRD (RAS to RAS Delay time — задержка при переходе от одной строки памяти к другой). Данный параметр, кроме всего прочего, означает и минимальный интервал задержки между командами активации чередующихся банков памяти в микросхеме (Bank to Bank delay time = tRRD min).

Идем дальше. Обозначение …-В2 (рис. 10, вторая строчка сверху) для Samsung’овского модуля, видимо, означает, что модуль двухбанковый. Надписи KOREA на модулях Hynix и Samsung однозначно указывают на страну производителя, а остальные встречающиеся на лейбле цифири — дату производства модуля (это исключительно IMHO, так что если вы владеете более точной информацией, поделитесь). Например, 0330 (рис. 10) на изделии Samsung может означать, что продукт изготовлен в 2003 году, на 30-й неделе. А 04 и 0322 на модуле Hynix (рис. 11) — соответственно номер фабрики, год и неделю производства. 200327 на модуле Micron можно интерпретировать так же, как дату производства, а вот о надписи CCTAEF3001 (рис. 7) я ничего конкретного сказать не могу .

К сожалению, на модулях мелких производителей, например PQI, никаких уточняющих надписей по таймингам нет, хотя на них и может появляется маркировка, в тайну которой посвящены, видимо, лишь избранные PQI’евцы (рис. 12).

Рис. 12.

Внесенные коррективы

Раз уж я заговорил о банках памяти, то внесу некоторые коррективы в ранее изложенную мной информацию. Как вы помните :-), [12]-й символ в маркировке модулей Hynix и [8]-й для Samsung (они официально называются # bank in Comp... Refresh и Refresh/Banks) обозначают количество банков памяти в отдельном компоненте (то есть в одной микросхеме памяти). Количество этих «внутренних» банков никак не связано с так называемым «внешним» числом банков памяти для самого модуля. Заметьте, когда вам говорят, что приобретаемый модуль двухбанковый, то имеют в виду именно «внешнее» (видимое извне, т.е. компьютерной системой) количество банков памяти, которые и «видит» BIOS вашего ПК. Соответственно, обозначения 4 bank… 64ms/8K Refresh (7.8us) для модулей Samsung обозначают, что на отдельной микросхеме имеется 4 банка памяти, каждый из которых состоит из 8 тысяч строк ОЗУ. Обновление (Refresh) одной строки емкостью 1024 байт (1024 байт = 32 Мб/8 тыс.) занимает 7.8 микросекунд, а на обновление всего банка затрачивается 64 миллисекунды (64 7.8 мкс х 8000). При этом внутренние банки микросхемы памяти работают независимо (параллельно), благодаря чему во время обновления (подзарядки) одного банка возможен доступ системы к данным в другом банке.

Надеюсь, эта дополнительная информация позволит вам точнее интерпретировать изложенное в предыдущих статьях. Естественно, никаких ограничений на модуль памяти в целом количество внутренних банков в микросхемах не налагает. Думаю, после прочитанного детальная расшифровка информации по пункту [12] для модулей Hynix типа 16k Ref./2Banks не вызовет у вас затруднений.

Ну вот, пока, собственно, все. Следующую часть статьи я собираюсь посвятить модулям памяти компании Infineon. Дело за малым — нужно раздобыть эти модули…

А сейчас остается лишь поблагодарить компанию К-Трейд за любезно предоставленные модули памяти DDR 333 и DDR 400 производства компаний Samsung, Hynix, Micron, NCP и PQI.

(Продолжение следует)

Рекомендуем ещё прочитать:






Данную страницу никто не комментировал. Вы можете стать первым.

Ваше имя:
Ваша почта:

RSS
Комментарий:
Введите символы: *
captcha
Обновить






Рейтинг@Mail.ru
Хостинг на серверах в Украине, США и Германии. © www.sector.biz.ua 2006-2015 design by Vadim Popov