CFA LogoCFA Logo Computer
Загрузка поиска
Новости Компьютеры Прайс-лист [Новое] Прайс-лист [Б/У] Для ноутбуков Конфигуратор ПК Заказ, Оплата, Доставка Сервис объявления Драйвера Статьи Как нас найти Контакты
Новости
RSS канал новостей
Специалисты компании iiyama предлагают своим клиентам новый крупноформатный монитор. Речь идет о ...
Производители материнских плат уже давно озаботились тем, чтобы предложить своим клиентам идеальную ...
Специалисты компании Epox предлагают своим клиентам новенькую материнскую плату компактных размеров ...
Итак, состоялся анонс восьмого поколения смартфонов Apple iPhone вместе с юбилейным iPhone X. И ...
Сколько, по вашему мнению, должно быть камер в смартфоне? Huawei, похоже, считает, что можно установить ...
Самое интересное
Программаторы 25 SPI FLASH Адаптеры Optibay HDD Caddy Драйвера nVidia GeForce Драйвера AMD Radeon HD Игры на DVD Сравнение видеокарт Сравнение процессоров

АРХИВ СТАТЕЙ ЖУРНАЛА «МОЙ КОМПЬЮТЕР» ЗА 2003 ГОД

Памятные надписи

Владимир СИРОТА vovsir@yandex.ru

Продолжение, начало см. в МК, №37 (260).

Вступление о прошлом

Сразу отвечу на возникшие у некоторых вопросы по предыдущей части статьи. Дескать, что это за хрень такая, tRCD и tRP. А-я-яй! Как вам не стыдно, отсылал всех просвещаться к статьям А.Кондаурова и В.Якусевича. Ну да ладно, для самых ленивых расскажу. tRCD (time RAS to CAS Delay) — это не что иное, как интервал в системных тактах, затрачиваемый на переход от адреса строки к адресу столбца в матрице ОЗУ (например tRCD=3 означает, что на такую процедуру потребуется 3 такта).

А вот другой параметр tRP (time RAS Precharge) характеризует количество тактов на шине памяти, необходимых для выполнения операции предзаряда строки памяти (например, tRP=2 значит, что на это дело уходит два такта). Для самых любознательных: в списке «задержек» памяти есть еще такая неприятная вещь, как tRRD (RAS to RAS Delay time) — это интервал при переходе от строки памяти к другой строке (определяется в тактах). И последнее, для тех, кто читает МК нерегулярно: об очень важном параметре CL (CAS Latency) было достаточно подробно рассказано в предыдущей части статьи. Правда, там допущена досадная ошибка (ну, не ошибается тот, кто ничего не делает): слова «…(Column Access Strobe, обращение к строке памяти, например, для чтения данных из ОЗУ)» следует, конечно же, читать как «(Column Access Strobe, обращение к столбцу памяти, например, для чтения данных из ОЗУ)», и далее по тексту.

Попомним Hynix

Итак, на очереди у нас описание метода идентификации мемориальных изделий :-) компании Hynix — одного из крупнейших мировых производителей модулей памяти.

Маркировка, которую имеют DDR-модули памяти Hynix (рис. 1), представлена на рисунке 2. Принцип идентификации этих надписей мы применим тот же, что и при рассмотрении модулей производства Samsung, то есть каждому символу маркировки мы сопоставим цифру его порядкового номера.

Рис. 1.   Рис. 2.

Переходим к теорчасти. Символы [1-2-3] в данном случае всегда выглядят как HYM, что однозначно указывает на «пролетарское» :-) происхождение изделия и расшифровывается как Hynix Module.

За позициями [4-5] «скрывается» емкость модуля, хотя в интерпретации Hynix название этих позиций звучит как Component Group, т.е. нечто вроде категории (емкостной) модуля. Итак, что же может быть нам здесь предложено? «D1» — модуль 128 Мб DDR SDRAM (модуль синхронной динамической памяти с удвоенной частотой передачи данных за такт и емкостью 128 мегабайт), «D2» — указывает, что емкость составляет 256 Мб, «D5» — 512 Мб, и наконец, обозначение «DG» укажет, что перед нами модуль DDR SDRAM емкостью один гигабайт.

[6] — представляет собой характеристику Power Supply&Interface, т.е. энергопотребления и интерфейса. Значения здесь следующие. Как официально заявляет Hynix, «ВLANK» — «пустое место», пробел в этой позиции, — означает модуль с VDD 2.5V&VDDQ 2.5V, т.е. типичный 2.5В модуль DDR-памяти (VDD — линии питания, VDDQ — линии питания шины данных). «W» — соответственно обозначает модуль с параметрами VDD 2.5V&VDDQ 1.8V, а буковка «S» говорит о модуле с VDD 1.8V&VDDQ 1.8V (т.е. полностью 1.8-вольтовом).

Модульные тонкости

Символы [7-8] указывают на количество ячеек памяти, размещенных в каждой микросхеме, напаянной на модуле. Здесь возможны следующие варианты. «8», «16», «32», «64» — эти цифры соответствуют количеству миллионов ячеек памяти (8, 16 миллионов и т.д.). А вот ежели в этом месте стоит цифирька «12», то она означает 128 миллионов ячеек. «25» говорит уже о 256 миллионах, а «51» — о целых 512 млн. Но и это не предел. «1G» — это уже целый миллиард ячеек, а «2G» — соответственно два млрд.

[9] — это пунктик, носящий официальное название «Memory Type» и указывающий на тип данного модуля. Чистый «ВLANK» :-) свидетельствует, что это типичный 184 pin Unbuffered DIMM (стандартный 184-контактный небуферизированный модуль). «G» — 184 pin Registered DIMM (регистровые, буферизированные модули используются в серверах). «М» — 200 pin SODIMM (как уже говорилось в предыдущей части статьи, модули SODIMM применяются в ноутбуках). «R» — 200 pin Registered DIMM, «Е» — 208 pin Registered DIMM и «U» обозначает 172 pin Micro SODIMM (172-контактный малогабаритный модуль).

Символы [10-11] «ответственны» за ширину шины данных модуля (Data Width). Здесь все просто: если видим «64», то перед нами стандартный модуль с 64-битной шиной, а ежели «72», то это модуль с коррекцией ошибок ЕСС (большая ширина шины данных требуется для передачи контрольных битов).

[12]-й пункт официально называется Refresh/Banks и сообщает о величине единовременно обновляемого блока памяти и количестве допустимых обслуживаемых банков памяти при использовании данного модуля. Тут мы можем найти следующие значения:

«1» — 4K Ref./2Banks (за один цикл последовательно обновляется 4 тысячи ячеек памяти, работа возможна не более чем с 2-мя банкам памяти одновременно);

«2» — 8K Ref./2Banks (за цикл обновляется 8 тыс. ячеек в блоке, банков не более 2-х);

«3» — 16K Ref./2Banks;

«5» — 4K Ref./4Banks;

«6» — 8K Ref./4Banks;

«7» — 16K Ref./4Banks (блок последовательно обновляемых ячеек за цикл — 16 тыс., возможна работа одновременно 4-х банков памяти).

Символ [13] скрывает страшное философское словосочетание Die Generation. Что можно перевести как «погибшее поколение», при моем-то знании английского :-) и истории компании Hynix. К счастью, есть словарь, из которого я узнал, что «die» как технический термин соответствует слову «штамп». То есть в нашем случае Die Generation означает просто «указатель (штамп) поколения» используемых в модуле микросхем памяти. Поколений таких у Hynix, в отличие от Samsung, не так уж много. «ВLANK», то бишь отсутствие обозначения, обозначает (во, каламбурчик вышел) 1-е поколение (1st Gen., т.е. first Generation). «А» — 2nd Gen. (типа секонд…), «В» — 3rd Gen. и «С» — 4th. Gen. (четвертое, соответственно, поколение).

[14] — сведения о параметрах энергопотребления (Power Consumption). «ВLANK», пусто, — нормальное энергопотребление, «L» — малопотребляющий (Low Power) модуль.

Запакуемся

Символ [15] указывает на тип упаковки микросхем (Package Type), используемых на модуле. Если здесь допущен информационный пробел, «ВLANK», то тип упаковки чипов — TSOP. Если стоит буковка «F», то FBGA. А ежели в этом месте найдется аж две буквы «FC», то это тоже FBGA, но UTC: 8х13 мм.

Не знаю зачем, но Hynix понадобилось указать конкретного производителя-упаковщика их микросхем (заметим, что у каждого производителя процесс упаковки имеет свои индивидуальные особенности). И, тем не менее, из пункта [16] (Package Stack, упаковка в кучу :-)) мы можем узнать, по чьей же именно уникальной методе упаковали подложки с ячейками памяти в микросхемы. Итак, значению «ВLANK», согласно информации от Hynix, соответствует описание вида упаковки как «Normal». То есть в данном случае микросхемы упакованы нормально, не стоит беспокоится :-). «S» означает, что чипы попаковала сама Hynix (Hynix Stack). «К» свидетельствует об упаковке от М&Т (М&Т Stack), «U» —UTC Stack. И буква «J» «объединяет» всех других упаковщиков.

Не менее интересную информацию можно почерпнуть из пункта [17]. Речь в нем идет, ни много ни мало, об упаковочном материале микросхем (Package Material). «ВLANK» — «Normal», нормальная в общем упаковка, и на том, как говорится, спасибо. «Р» — упаковка Lead Free, то бишь не содержащая свинца (то есть как грузок на рыбалке эту микросхему не применить… а жаль :-)). «Н» —Halogen Free, без галогенов (галогены (от греч. hals — соль и... genes — рождающий, рожденный) — химические элементы фтор F, хлор Cl, бром Br, йод I и астат At, составляющие главную подгруппу VII группы периодической системы Менделеева). «R» — хм… хм… в официальном документе Hynix под названием «DDR SDRAM Module Part Numbering» позиции «R» соответствует надпись Lead&Halogen. Рискну все же предположить, что модуль с обозначением «R» от этих веществ все-таки free. А модулю со свинцом и галогенами скорее соответствует понятие «Normal». Такой вот нормальный модуль, насыщенный микроэлементами :-).

Кон и его фигурация

[18]-я позиция (Component Configuration) определяет такое свойство ячеек памяти в модулях, как их номинальная емкость в байтах. Цифирьки здесь могут стоять такие: «4» — х4 Based (емкость каждой ячейки в микросхемах — 4 бит), «8» — х8 Based и «6» — х16 Based (емкость отдельной ячейки памяти в установленных микросхемах и ширина их внешней шины — 16 бит).

Ревизию (версию) модуля можно определить по позиции [19] (Module Revision). Значению «ВLANK», то есть отсутствию значения как такового, по информации из того же «DDR SDRAM Module Part Numbering», соответствует понятию Original. Ну кто бы мог подумать! Да, чем больше я читаю всевозможные технические описания, тем больше я понимаю, что их пишут люди, не лишенные чувства юмора. И это хорошо! Но двигаемся дальше. Буковки от «А» до «Н» обозначают разные ревизии модуля. Без каких-либо конкретных уточнений. Если же в этом месте находится символ «М», то перед нами низкопрофильный (Low Profile) модуль оперативки. «R» соответствует модулю Low Cost, т.е. низкостоимостному, удешевленному. «J» укажет, что мы имеем дело с DDR 333 или DDR 400 Unbuffered DIMM (т.е. это модуль для массового рынка). А вот символ «N» будет свидетельствовать, что перед нами DDR 400 Registered DIMM (регистровый модуль, содержащий дополнительные буферы и ориентированный на использование в серверах).

Позиция [20], соответсвующая символу «-», я думаю, в расшифровке не нуждается. А вот символ под номером [21 (22 23)] представляется весьма интересным (на самом деле, в этом месте может оказаться до трех символов, но сути дела это не меняет). Именно здесь «засекречены» скоростные характеристики модулей, официально данный параметр даже «обзывается» Speed. Что же за «скорости» нам предлагает Hynix в своих модулях памяти? А вот они какие:

«D43» — модуль DDR 400 с таймингами 3-3-3 (CL–tRCD–tRP);

«D4» — модуль DDR 400 с таймингами 3-4-4;

«J» — DDR 333 (тайминги неизвестны, но с высокой долей вероятности могу предположить, что они на уровне 2.5-3-3);

«М» — DDR 266 с таймингами 2-2-2;

«К» — модуль DDR 266А (тайминги неизвестны, предположительно 2-3-3);

«Н» — модуль DDR 266В (тайминги неизвестны, предположительно 2.5-3-3);

«L» — модуль DDR 200 (тайминги неизвестны, предположительно 2-2-2).

На каком таком основании, спросите вы, я делал свои выводы о таймингах модулей Hynix (о которых сам производитель «постеснялся» сообщить дополнительную информацию)? Разумеется, я не приглядывался к кофейной гуще. Я поступил проще — посмотрел на спецификации, установленные JEDEK (JEDEK Component Speed Grade) —таблица 1.

Практика — великая сила

Ну что ж, с теорией мы покончили. Берем в руки модуль Hynix (рис. 1) и смотрим на его стикер (рис. 3). И не верим своим глазам. Ну ни фига себе, маркировка на модуле ничуть не похожа на то, что мы только что так усердно изучали! Вместо 22 символьных позиций в ней насчитывается всего 15! Не расстраивайтесь, пацаны. Мы не собираемся сдаваться и отступать перед трудностями, заблаговременно подсунутыми нам достопочтенными Hynix’овцами. Будет разборка. Поручик Голицын, раздайте патроны, щас мы им покажем…

В оптический прицел внимательно рассматриваем стикер (рис. 3). Немного успокаивает наличие на модуле «наводящих» надписей типа 256MB DDR333MHz CL2.5 и PC2700, которые соответствуют друг другу. Вот перед нашим взором проплывает и собственно маркировка HYMD232646B8J-J. Так, устанавливаем 4-кратное приближение. Читаем первые три буквы —HYM, да, модуль, точно Hynix’овский. Далее видим D2 [4-5]. Угу, согласно нашим записям, это соответствует 256 Мб DDR SDRAM модулю. Надо ж как совпало с ранее изученной теорией! Смотрим дальше. Вместо буков «W» или «S» перед нами предстают какие-то цифры. И тут нас прямо осеняет, пацаны. «ВLANK», применительно к маркировочной методологии Hynix, может означать не просто пробел (в прямом смысле этого слова) в определенном месте маркировки, но и отсутствие там символа как такового вообще. Вот и все, разгадали мы загадку Hynix’овских письмен. Теперь осталось только сопоставить имеющимся в маркировке модуля символам порядковые номера позиций из нашей теорчасти, и расшифровка надписи на модуле для нас станет столь же простой, как процедура чтения иероглифов для японцев. Да, кстати, Голицын, соберите-ка патроны. Пусть Hynix’овцы еще поживут…

Рис. 3.   Рис. 4.

Таблица

Расставляем номерочки в маркировочной надписи (рис. 4). Теперь продолжаем читать «расшифровку» модуля, как цыганка по ладони :-). Позиции [6] нет. «32» [7-8] — применяемые на модуле чипы памяти содержат по 32 миллиона ячеек. Позиция [9] также пропущена по уже объяснимым :-) причинам. «64» на [10-11] местах указывают на 64-битный интерфейс шины памяти, необходимый для этого модуля. «6»-ка на [12]-й позиции говорит, что при обновлении памяти модуль оперирует 8-Кб ячейками и при его использовании допустимо наличие в системе до 4 банков RAM. [13]-я позиция — буковка «В». Следовательно, на модуле использовано 3-е поколение чипов. Позиций [14, 15, 16 и 17] в маркировке нет. «8»-чка на [18]-м месте свидетельствует о 8-битной емкости ячеек памяти в модуле. (В том, что мы правы и не сбились с верного пути, легко убедиться, подсчитав «контрольную сумму» емкости для модуля: 8 бит ячейки=1 байт, 1 байт х 32 млн. ячеек=32 Мб — получаем емкость одной микросхемы на модуле 32 Мб. Таких микросхем на планке напаяно 8 штук, следовательно, суммарная емкость девайса 32 Мб х 8=256 Мб. В чем и следовало убедиться. Проверяем еще. Интерфейс одной микросхемы 8-битный (по емкости ячейки). 8 бит х 8 микросхем=64 бит общей ширины интерфейса модуля. Блестяще. Вот какие мы молодцы :-).)

Буква «J» на [19]-м «месте» дает нам знать, что у нас небуферизированный (нерегистровый) модуль DDR SDRAM с частотой 333 либо 400 МГц. Глядим за черточку — буква «J» [21] за ней нас окончательно убеждает, что перед нами модуль памяти DDR 333.

(Продолжение следует)

Рекомендуем ещё прочитать:






Данную страницу никто не комментировал. Вы можете стать первым.

Ваше имя:
Ваша почта:

RSS
Комментарий:
Введите символы: *
captcha
Обновить





Хостинг на серверах в Украине, США и Германии. © www.sector.biz.ua 2006-2015 design by Vadim Popov