АРХИВ СТАТЕЙ ЖУРНАЛА «МОЙ КОМПЬЮТЕР» ЗА 2003 ГОД

Биос и его настройки

• Все журналы \ Номер 37/260 `2003 от 15.09.2003 \ Биос и его настройки

Виталий ЯКУСЕВИЧ

4. Memory

(Продолжение)

4.5. Конфигурирование основной памяти

(Продолжение)

Turn-Around Insertion

Вставка между циклами. Если этот параметр разрешен (Enabled), то между двумя последовательными (back-to-back) циклами обращения к памяти чипсет вставляет один дополнительный такт на линиях данных (MD [Memory Data]). Это происходит после установки сигнала MWE# (Memory Write Enable) и перед включением буферирования на линиях данных.

Если параметр запрещен (Disabled), чипсет контролирует DRAM-циклы обычным методом, то есть как в чипсетах 82430FX — первых наборах с поддержкой EDO-памяти. При этом дополнительный такт отсутствует. Вставка дополнительного такта, конечно, уменьшает быстродействие, но увеличивает достоверность передачи данных при операциях чтения/записи.

Что же касается собственно EDO-памяти, то для нее в системе могла быть введена и «своя» опция. Она называлась EDO MD Timing, а значения ее параметров были 1T и 2T.

Write Recovery Time

Время восстановления для цикла записи. Несмотря на то, что эта временная характеристика является неотъемлемой частью цикла записи в основную память, в качестве опции для пользовательской настройки она практически никогда не была доступна. Можно разве что вспомнить опцию DRAM Write Recovery Time, значения которой были 1T и 2T.

Но совсем неожиданно в последнее время эта опция вновь начала появляться в BIOS, хотя не на всех системах. Она обрела «вторую жизнь» с внедрением DDR-памяти в компьютерах на чипсетах от VIA. В системах, построенных на чипсетах от SiS, Intel, AMD или nVidia, такая опция замечена не была. Хотя в конфигурационных регистрах, приписанных к контроллеру памяти, подобная характеристика обязательно присутствует. Раньше мы уже писали об опции DRAM Timing, и тогда рассматривали тайминги памяти на примере чипсета ALi MAGiK1. Фигурирующий там параметр tDPL это и есть собственно «время восстановления», обозначаемое также tWR (трактуется как write-to-read interval). Что касается значений современных опций, то они имеют вид 2T и 3T.

Итак, tDPL (Data Phase Latency) — это задержка между последней фазой записи данных и выдачей команды предзаряда (precharge command). После завершения фазы записи строка памяти, к которой шло обращение, должна войти в фазу регенерации для подзаряда содержимого ячеек. Но фаза предзаряда задерживается на некоторый интервал, обеспечивающий тем самым абсолютно корректное завершение цикла записи. Поэтому и было введено такое понятие, как восстановление интерфейса памяти после проведения операции записи и перед следующей командой. Процедуры по выставлению управляющих сигналов в цикле чтения и в цикле записи идентичны. Только для цикла записи дополнительным временным фактором является интервал tWR. И если рассматривать длительность всего цикла записи, то можно получить сумму tRAS + tWR + tRP.

Вопросы, посвященные оптимизации всей подсистемы памяти, мы завершаем небольшим перечнем опций по настройке динамической памяти Rambus.

RAMBUS Frequency

Опция установки тактовой частоты модулей памяти RAMBUS. На первых материнских платах на чипсете i840 предлагались следующие значения: «266 MHz», «300 MHz», «400 MHz». Однако системы на чипсете i840 практически не получили распространения. Ситуация несколько изменилась с выходом чипсета i850. Вот какие параметры имеет опция RDRAM Frequency в системе на материнской плате ASUS P4T: Auto, 3:1 и 4:1. Значение Auto автоматизирует процесс установки множителя частоты RIMM-модулей по отношению к тактовой частоте системной шины, и оно является рекомендованным. Остальные два значения предназначены для «ручной» настройки работы памяти при использовании RIMM-модулей PC600 или PC800. Необходимо сразу подчеркнуть, что попытки разогнать RDRAM-память обязательно приведут к резкому снижению стабильности ее работы, в том числе из-за возможного перегрева.

Можно привести еще некоторые аналоги данной опции. RDRAM Bus Frequency, RDRAM Frequency (MHz) и RDRAM Frequency: FSB Ratio отличаются представлением параметров — в виде значений частоты или ее множителей. Правда, в одном случае опция RAMBUS Frequency среди других известных значений предложила такой необычный вариант, как 300/356 MHz.

RDRAM CAS Delay

Задержка CAS#. Данная опция является не чем иным, как вариацией опции CAS# Latency применительно к RDRAM-памяти. В качестве значений можно привести 8T, что говорит о значительной латентности памяти RDRAM.

Данная опция, как и многие другие, подтверждается аппаратной комплектацией чипсета i820: RDRAM Timing Register, бит 3 — CAS Access Delay (tCAC). Устанавливается минимальная задержка команды чтения в RDRAM-тактах:

0 — Reserved;

1 — 8 RDRAM clocks.

RDRAM Napdown

Данная опция при значении Enabled разрешает перевод RIMM-модулей в один из режимов энергосбережения (подробнее чуть ниже). Установка в Disabled допускает использование только режима Stand-By.

Уточним некоторые моменты касаемо RDRAM Power Management Register, бит 3 — Device Napdown Enable:

1 — Enable. Счетчик неактивности канала RDRAM включается при возникновении такой неактивности. Когда значение счетчика превышает порог, установленный в бите Device Napdown Timer, LRU-устройство (Least Recently Used) переподключается с канала A (Pool A) на канал B (Pool B).

0 — Disable (по умолчанию).

В качестве комментария. LRU-алгоритм, алгоритм удаления наиболее старых использовавшихся элементов, применяется очень давно. Он может быть применен как по отношению к программным модулям, так и по отношению к физическим объектам.

RDRAM Napdown Time

С помощью данной опции можно установить период пребывания RIMM-модулей в состоянии «сна» (Nap или Napdown). Значений два: 1000 Clocks и 2000 Clocks.

RDRAM Power Management Register, биты [7:6] — Device Napdown Timer. Это поле устанавливает количество системных тактов для RDRAM-канала, находящегося в состоянии простоя, перед переводом LRU-устройства с канала A на канал B:

00 — 1K

01 — 2K

10 — Reserved

11 — Reserved.

RDRAM Pool A Capacity

Данная опция позволяет установить количество потребителей (устройств) на первом из двух каналов системы памяти RDRAM. Потребителями являются RIMM-модули. Значения опции выглядят так: 1 Device, 2 Devices, 4 Devices, 8 Devices.

RDRAM Power Management Register, биты [1:0] — Pool A Capacity. Это поле определяет максимальное число RDRAM-устройств, которые могут быть размещены на канале A одновременно. Устройства, не являющиеся частью канала A, принадлежат каналу B:

00 — 1 device

01 — 2 devices

10 — 4 devices

11 — 8 devices.

В качестве комментария. Контроллер Rambus памяти поддерживает до 32-х RDRAM-устройств на один Rambus-канал. Эти устройства логически распределяются на 8 групп, и каждая из групп может иметь до 4-х RDRAM-устройств.

(Далi буде >:-/)

Идёт загрузка...

Данную страницу никто не комментировал. Вы можете стать первым.

Ваше имя:
Ваша почта:
Комментарий:
Введите символы или вычислите пример: * Обновить