АРХИВ СТАТЕЙ ЖУРНАЛА «МОЙ КОМПЬЮТЕР» ЗА 2003 ГОД

Биос и его настройки

• Все журналы \ Номер 15/238 `2003 от 14.04.2003 \ Биос и его настройки

Виталий ЯКУСЕВИЧ santana@istc.kiev.ua

Продолжение, начало в МК № 26–38, 40–43, 46, 50–52 (145–157, 159–162, 165, 169–171), 2000; № 1 (172), 4 (175), 6–7 (177–178), 12–13 (183–184), 17–18 (188–189), 23 (194), 27 (198), 30 (201), 33 (204), 35 (206), 40 (211), 42 (213), 44 (215), 47 (218), 50 (221), 1–2 (224–225), 5 (228), 7 (230), 9 (232), 11 (234), 14 (237).

Mem. Drive Str. (MA/RAS)

Если говорить не об опции, а о функции, то последняя в литературе получила название Memory Address Drive Strength. Можно сказать, что функция отвечает за изменение мощности сигналов на линиях выбора адреса. В общем-то, это верно. Но такого объяснения окажется явно недостаточно пытливому пользователю.

Но вернемся к опции. Во-первых, речь идет о входных сигналах модулей памяти, являющихся выходными сигналами для буферов, входящих в структуру системы памяти. Именно управление этими буферами и позволяет изменять мощность адресных сигналов.

Мощность, напряжение… У пользователя, по аналогии с функциями «разгона», вероятно, возникло предположение, что перечисленные функциональные возможности появились в последние годы. В нашем случае это ошибочное мнение. Если обратиться к спецификации чипсета i430HX, то вычитаем следующую информацию:

Integrated DRAM controller:

Integrated Programmable-Strength Memory Address Buffers...

Перевод будет излишним. О каких же адресных сигналах идет речь?

MA (Multiplexed Address) — мультиплексированная линия адреса A[0:13]. Для устаревших типов памяти (FPM, EDO, BEDO) на этих линиях во время спада сигнала RAS# присутствует адрес строки, во время спада сигнала CAS# — адрес столбца. В случае SDRAM-памяти эти линии функционируют несколько сложнее.

BA1 (SDRAM Bank Address) — выбор внутреннего банка модуля памяти. Указание на сигнал BA1, скорее всего, имеет следующее объяснение. По окончании текущего пакетного цикла следует команда предзаряда (autoprecharge). Если команда сопровождается высоким уровнем сигнала, то предзаряд происходит в обоих банках, если же низким — предзаряд осуществляется только в банке, определяемом линией BA0. При обычном обслуживании банков памяти усиление сигнала BA1 вряд ли необходимо. А вот после пропущенного предзаряда банка, возможно, потребуется более мощный сигнал для безусловного проведения этой процедуры. Хотя все это еще требует дополнительного изучения.

SRASx# (Row Address Strobe). Четыре линии RASx# позволяют обслуживать автономно разные банки памяти.

SCASx# (Column Address Strobe). Структурно управление основной памятью устроено таким образом, что допускается возможность обращения как к двойным словам (32 бита), так и каждому байту. Выбор отдельных байтов осуществляется сигналами низкого уровня CAS[0:7]#, т.е. каждый байт банка памяти должен иметь собственную линию CASx#. Таким образом, 8 линий CASx# обслуживают побайтно 64 бита данных. В системах без чередования банков линии CASx# для одноименных байтов всех банков обычно объединяются. Метод чередования банков увеличивает потребность в этих линиях в зависимости от схемы чередования.

MWEx# (Memory Write Enable) — низкий уровень сигналов разрешает запись/чтение для разных банков раздельно.

CKEx(Clock Enables) — высокий уровень сигналов разрешает синхронизацию для банков микросхем памяти. Низкий уровень сигналов переводит модули памяти в режим пониженного энергопотребления или саморегенерации.

Рассматриваемые нами выше сигналы разбиты на две группы. В первую вошли MA и BA1, что нашло отражение в названии опции как первая составляющая, а вторую группу составляют сигналы SRASx#, SCASx#, MWEx# и CKEx, в качестве второй составляющей.

Теперь представим возможные значения опции: Auto (по умолчанию); 10 mA, 10 mA; 10 mA, 16 mA; 16 mA, 10 mA; 16 mA, 16 mA.

Если выбор Auto не привел к повышению стабильности работы основной памяти, то оптимальные токовые значения подбираются путем тестовой проверки. С другой стороны, повышению токовых характеристик должна предшествовать кропотливая работа по увеличению различных задержек в работе памяти, вставке дополнительных тактов ожидания, возрастанию длительности действия сигналов и т.п. Возможно, это позволило бы добиться оптимальной стабильности, а заодно выяснить причины ошибок работы памяти.

Данная опция встречалась в системах с FPM-, EDO- и BEDO-памятью, а также с SDRAM-памятью. Но затем либо была заменена другими, либо изъята из BIOS Setup.

Аналогичная опция называлась MA Drive Capacity.

Memory Current

Давняя опция Phoenix BIOS устанавливает ток нагрузки для модулей памяти. В данном случае речь идет об управляющих сигналах, сигналах данных либо о тех и других одновременно. Значения параметра следующие:

8mA — для сигналов устанавливается потребляемый ток в 8 мА;

12mA — для сигналов устанавливается потребляемый ток в 12 мА. Последнее необходимо в том случае, если используются модули памяти большой емкости (64 Мб и более), содержащие большое количество чипов памяти.

Memory Mode

Знаменитая во всех отношениях серия чипсетов i430x была завершена в 1996–97 гг. i430VX и i430TX. Они одновременно поддерживали FPM-, EDO- и SDRAM-память. Но традиции есть традиции, и в своем далеко не самом знаменитом чипсете i820 Intel предложила поддержку памяти SDRAM и Rambus. Отсюда и значения опции: RDRAM Mode, SDRAM Mode. Какой тип памяти установлен в ПК, такой и нужно выбирать.

Method of Memory Detection

(Метод определения памяти)

Данная опция отвечает за то, с помощью какого метода система должна определять тип и характеристики инсталлированных модулей памяти. Значений два: Auto+SPD и Auto only. Первое предпочтительнее в случае полного выполнения производителями памяти спецификаций Intel в отношении SPD-модуля (Serial Presence Detect).

Аналогичная по назначению опция под названием SDRAM Configuration (конфигурация SDRAM-памяти) встречается чаще, поэтому является более привычной для большинства пользователей. Опция указывает, должен ли BIOS определять временные характеристики доступа к памяти на основании информации из SPD-модуля (by SPD), или же пользователь проведет конфигурирование доступа самостоятельно (путем установки параметра Disabled). В качестве фиксированных значений могут быть предложены следующие: 7 ns (143 Mhz) и 8 ns (125 Mhz). Они используются для памяти с временем доступа 7 нс/8 нс и, соответственно, частотой шины 143 МГц/125 МГц. Возможны и другие параметры для опции с тем же названием —by SPD и Manual.

У подобной опции DRAM Timing Selectable имеются следующие значения: By SPD и By User.

(Продолжение следует)

Идёт загрузка...

Данную страницу никто не комментировал. Вы можете стать первым.

Ваше имя:
Ваша почта:
Комментарий:
Введите символы или вычислите пример: * Обновить