CFA LogoCFA Logo Computer
Загрузка поиска
Новости Компьютеры Прайс-лист [Новое] Прайс-лист [Б/У] Для ноутбуков Конфигуратор ПК Заказ, Оплата, Доставка Сервис объявления Драйвера Статьи Как нас найти Контакты
Новости
RSS канал новостей
Согласно свежей информации в Сети, модифицированные версии графических ускорителей Radeon RX Vega ...
Компания PNY сообщает о выпуске графического ускорителя PNY GeForce GTX 1070 8GB XLR8. В данной ...
Сегмент корпусных вентиляторов в эти дни пополнился моделями в исполнении компании Raijintek. Речь ...
Компания GeIL накануне анонсировала оперативную память серии GeIL Super Luce RGB Lite DDR4. Данные ...
Специалисты компании iiyama предлагают своим клиентам новый крупноформатный монитор. Речь идет о ...
Самое интересное
Программаторы 25 SPI FLASH Адаптеры Optibay HDD Caddy Драйвера nVidia GeForce Драйвера AMD Radeon HD Игры на DVD Сравнение видеокарт Сравнение процессоров

АРХИВ СТАТЕЙ ЖУРНАЛА «МОЙ КОМПЬЮТЕР» ЗА 2003 ГОД

Биос и его настройки

Виталий ЯКУСЕВИЧ santana@istc.kiev.ua

Продолжение, начало в МК № 26–38, 40–43, 46, 50–52 (145–157, 159–162, 165, 169–171), 2000; № 1 (172), 4 (175), 6–7 (177–178), 12–13 (183–184), 17–18 (188–189), 23 (194), 27 (198), 30 (201), 33 (204), 35 (206), 40 (211), 42 (213), 44 (215), 47 (218), 50 (221), 1–2 (224–225), 5 (228), 7 (230), 9 (232), 11 (234).

4. Memory

(Продолжение)

4.5. Конфигурирование основной памяти

(Продолжение)

EMS

Разрешение/запрещение аппаратной поддержки центральным процессором расширенной (отображаемой) памяти или, как говорят, EMS-памяти (Expanded Memory Specification). Значения стандартные: Disabled и Enabled. Предназначалась опция для систем на 286-х процессорах.

EMS Memory Base Address

Опция устаревшая. С ее помощью устанавливался базовый адрес окна EMS в основной памяти. Возможные значения: C0000h, C4000 и т.д., включая E0000h.

EMS Page Reg I/O Base

Также устаревшая опция. С ее помощью устанавливался базовый адрес портов ввода/вывода (регистров процессора) для отображения страниц EMS. Предлагался целый ряд возможных значений: 208h, 218h, 258h и т.д., вплоть до 2E8h.

EMS Page(n) Addr Extension

Опция позволяет расширить объем отображаемой памяти для страницы n. Возможные значения: 0 to 2 Mb, 2 to 4 Mb и т.д.

Enhanced DDR Drive

Включение данной опции позволяет на 25% повысить мощность тактовых сигналов, подаваемых в системную DDR SDRAM-память от тактового генератора. Причем такое увеличение уровня мощности сигналов тактовой частоты осуществляется независимо от того, в синхронном или асинхронном режиме работает системная память. Рекомендуется выставлять Disabled. Включение же опции возможно только в случае появления проблем со стабильностью работы памяти, вызванных недостаточно высокой нагрузкой по току. Возникает такая ситуация как при «разгоне» памяти, так и при неоптимальном подборе модулей памяти.

Fast EDO Path Select

«Быстрый выбор пути к EDO-памяти» — так дословно можно перевести название данной опции. К сожалению, именно такая интерпретация в некоторых случаях вводит в заблуждение пользователей. Если в системе была установлена EDO-память, то опцию включали (Enabled). В принципе Fast EDO Path Select вводился специально под нее. Если же в системе использовалась обычная FPM DRAM, параметр нужно было отключить (Disabled). Это же значение устанавливается по умолчанию. На непродолжительное время опция появилась и в системах с BEDO-памятью, затем же была оттуда изъята.

Если опция включена, то при любых инициированных центральным процессором циклах опережающего чтения, независимо от фактов попадания в открытые страницы памяти, промахов в страницы или строки и т.п., задержки таких циклов уменьшались на 1 такт центрального процессора. Опция активировалась также в том случае, если в имелся синхронный кэш-памяти либо нужно было отказаться от кэширования вообще.

Еще одно название опции —EDO Read Leadoff, со значениями Slow и Fast (что соответствует Disabled и Enabled в заглавной опции). Также она могла называться Fast EDO Leadoff или Fast EDO Access, со стандартными Enabled и Disabled.

Fast MA to RAS# Delay

(Задержка между RAS- и MA-стробами)

Так как данная опция напоминает функцию RAS# to CAS# Delay, то стоит обновить в памяти, за что отвечает последняя.

Действие Fast MA to RAS# Delay очень критично по отношению к пользовательским регулировкам, поскольку речь идет о задержке между RAS-стробом и сигналом MA (Memory Adress), согласно которому данные считываются из памяти. Надо отметить, что на данный момент это уже устаревшая опция, предназначавшаяся для работы с FPM DRAM. Значения по умолчанию рекомендовалось изменять только в случае замены чипов памяти или процессора. Значения были стандартными: Disabled (по умолчанию) и Enabled.

Еще одно название опции Fast MA to RAS# Delay CLK. В этом случае для выбора предлагались значения в системных тактах, как и в случае с RAS# to CAS# Delay: 1, 2 (по умолчанию).

Fast R-W Turn Around

См. далее опцию Turn-Around Insertion.

MA Wait State

(Такты ожидания чтения памяти)

Параметр позволяет установить или снять дополнительный такт ожидания перед началом чтения памяти. Может принимать значения: Slow (по умолчанию) — добавляется один такт; Fast — нет дополнительного такта ожидания. Для памяти типа EDO один такт по умолчанию всегда уже существует, а установка Slow добавит еще один такт ожидания. Для SDRAM-памяти такого такта ожидания по умолчанию нет, и Slow один такой такт вводит. Лучше не изменять параметры, выставленные по умолчанию. Выбор значения Fast требует дополнительной проверки, тем более в случае возникновения сообщений об ошибках адресации памяти.

Еще одно название опции —MA Additional Wait State, думаю, понятно о чем идет речь. Возможные значения: Enabled и Disabled. В некоторых случаях параметры могут быть представлены и в виде тактов: 0 ws, 1 ws.

MD Driving Strength

Данная опция позволяет задать уровень мощности сигнала на линиях данных основной памяти (MD — memory data). Собственно MD — это не название сигналов. Например, линии данных (входных/выходных) модулей памяти именуются как DQx. Поэтому данная опция имеет некоторый обобщенный характер. Значительно большую ясность вносит рассмотренный далее параметр Mem. Drive Str. (MA/RAS).

Значения опции следующие: Hi (или High), Lo (или Low). Чем выше значение (самое большое это High), тем сигнал более мощный. Такая возможность, главным образом, используется для повышения общей стабильности работы памяти в случае большого числа DIMM-модулей и/или наличия большого числа двухсторонних модулей. С одной стороны, суммарная токовая нагрузка, определяемая многими модулями, может быть весьма значительной при оптимизации мощности сигналов, но это вынужденная мера. А с другой — потребление по току одного модуля памяти (до оптимизации) может оказаться на грани допустимого предела, что неизбежно приведет к сбоям в его работе.

Более «высокое» значение опции может быть использовано и для разгона. При увеличении частоты работы памяти вам нужно будет решить проблему повышения стабильности работы памяти. Однако использовать для разгона данную опцию в чистом виде нет никакого смысла — повышения производительности не произойдет. Поэтому в случае стандартной комплектации памяти и стандартной работы системы должен быть выбран «низкий» уровень сигналов.

(Продолжение следует)

Рекомендуем ещё прочитать:






Данную страницу никто не комментировал. Вы можете стать первым.

Ваше имя:
Ваша почта:

RSS
Комментарий:
Введите символы: *
captcha
Обновить





Хостинг на серверах в Украине, США и Германии. © www.sector.biz.ua 2006-2015 design by Vadim Popov