При операциях записи для i430FX допустима была диаграмма 5-y-y-y, а для «скороходов» 4-y-y-y. Правда, эти диаграммы оптимально работали на частотах 50 МГц или 60 МГц. При 66 МГц они «ухудшались» на 1 такт. Но это можно было предотвратить, если в систему была инсталлирована качественная память со временем доступа 50 нс или лучше (EDO-память) или же 10 нс для SDRAM-памяти. Но в любом случае изменение установленного по умолчанию параметра всегда требовало тщательной проверки работоспособности системы, так как могло вызвать ошибки в работе памяти.
В свое время для систем на чипсетах серии i430 в основном предлагались следующие варианты значений: 6/5, 7/6, 8/6. Первое число это количество подготовительных тактов для цикла чтения, а второе для цикла записи. В некоторых случаях могли быть предложены значения 6 и 7. Пользователю оставалось только надеяться, что выбираемое значение суть подготовительной фазы для цикла чтения, так как временные затраты на операции записи всегда на пару тактов меньше.
Поэтому, работая с опцией типа DRAM Leadoff Timing и ее значениями (8T, 9T), обязательно надо помнить, что речь идет о цикле чтения. Вас могут удивить столь подскочившие показатели. Но это закономерно в случае, когда имеешь дело с очень высокими частотами.
Эта же опция могла предложить значения Normal и Slow или Fast и Slow, которые характерны и для параметра DRAM Read Leadoff Timing.
Опция Fast DRAM R/W Leadoff и ее значения Enabled, Disabled. Думаю, с ней все ясно :-).
Вернемся к EDO-памяти. EDO/FPM Read Leadoff предлагает значения 5T, 6T.
Подытоживая вышесказанное, перечислим факторы, влияющие на возможности «настройки» данной опции. Это характерные особенности наборов системной логики, тип применяемой памяти, а также частоты системной шины и шины памяти.
DRAM Speculative Leadoff
(DRAM опережающее чтение)
Если включена данная опция, контроллер памяти может приступить к выполнению операции чтения полной декодировки адреса, по которому находятся требуемые данные. Во-первых, процессор инициирует сигнал чтения одновременно с генерацией необходимого адреса, а контроллер памяти (при разрешении параметра Speculative Leadoff) выдает команду чтения до полной расшифровки адреса. Данный режим позволяет повысить общую производительность системы на несколько процентов при снижении общих затрат времени на операцию чтения (за счет уменьшения задержек операции чтения). Может принимать значения: Enabled разрешено, Disabled запрещено (устанавливается по умолчанию, так как функцию должны поддерживать прежде всего системные компоненты, а это происходит не всегда).
Опция может называться Speculative Leadoff, SDRAM Speculative Read, Speculative Lead Off.
DRAM Speed Selection
Опция установки времени доступа к DRAM-памяти. Как правило, не рекомендуется менять значения, выставленные по умолчанию. Меньшие параметры, хотя и повысят быстродействие системы, но, возможно, приведут к нестабильности работы, потере данных. Если в ПК установлены банки памяти с разной скоростью доступа, то необходимо выставить значение, соответствующее наиболее медленной памяти. Однозначный вывод: изменять скорость надо осторожно. Возможные значения: 50 ns, 60 ns, 70 ns. Вполне могут быть и другие.
Еще некоторые названия опции: EDO DRAM Speed Selection, EDO DRAM Speed (ns), DRAM Speed.
DRAM Timing
(Временные характеристики основной памяти)
Так когда-то называлась опция по установке различных таймингов стандартной FPM DRAM. Имеются в виду системы на очень распространенном в свое время чипсете SIS496. Пользователям предоставлялись неплохие возможности для экспериментов по повышению ее производительности. Предлагался следующий ряд значений: Slowest, Slower, Faster, Fastest. Они были жестко «привязаны» к временным характеристикам инсталлированной памяти, хотя и тогда не рекомендовалось менять устанавливаемые по умолчанию значения.
Несколько позже возможности таких «скрытых» настроек получили дальнейшее развитие в опциях DRAM Timing Control. Существовало множество ее вариантов: Slow, Normal (по умолчанию), Medium, Fast, Fastest, Turbo и Auto. Параметр Turbo, например, позволял уменьшить CAS access time на один такт.
В некоторых случаях опции DRAM Timing, DRAM Timing Control контролировали и установку времени доступа к памяти 60 ns, 70 ns.
Также опции позволяли настраивать память по отдельным банкам памяти, тогда они имели следующий вид: Bank 0/1 DRAM Timing, Bank 2/3 DRAM Timing, Bank 4/5 DRAM Timing.
Для SDRAM-памяти данные опции принимали такие значения: 8 ns, 10 ns, Normal, Medium, Fast, Turbo.
DRAM Type
С помощью данной опции устанавливался тип инсталлированной памяти. Приведем исчерпывающий ряд значений: Page Mode Std, FPM, EDO, BEDO, SDRAM. Это.