CFA LogoCFA Logo Computer
Загрузка поиска
Новости Компьютеры Прайс-лист [Новое] Прайс-лист [Б/У] Для ноутбуков Конфигуратор ПК Заказ, Оплата, Доставка Сервис объявления Драйвера Статьи Как нас найти Контакты
Новости
RSS канал новостей
Компания Hewlett-Packard выпустила в продажу ноутбук модели HP Envy x360, основой для которого послужил ...
Компания G.Skill в эти дни объявила о выпуске новых представителей серии оперативной памяти Trident ...
Список материнских плат компании Biostar пополнился свежими моделями под поколения процессоров Intel ...
Похоже, что компания Gionee в эти дни очень сильно занята. Только недавно мы сообщали об анонсе ...
Компания Enermax в своем коротеньком пресс-релизе рассказала общественности о старте серии недорогих ...
Самое интересное
Программаторы 25 SPI FLASH Адаптеры Optibay HDD Caddy Драйвера nVidia GeForce Драйвера AMD Radeon HD Игры на DVD Сравнение видеокарт Сравнение процессоров

АРХИВ СТАТЕЙ ЖУРНАЛА «МОЙ КОМПЬЮТЕР» ЗА 2003 ГОД

Биос и его настройки

Виталий ЯКУСЕВИЧ santana@istc.kiev.ua

(Продолжение, начало в МК № 26–38, 40–43, 46, 50–52 (145–157, 159–162, 165, 169–171), 2000; № 1 (172), 4 (175), 6–7 (177–178), 12–13 (183–184), 17–18 (188–189), 23 (194), 27 (198), 30 (201), 33 (204), 35 (206), 40 (211), 42 (213), 44 (215), 47 (218), 50 (221), 1–2 (224–225))

4. Memory

(Продолжение)

4.4. Refresh

(Продолжение)

SDRAM Precharge Control

(Управление предварительным зарядом SDRAM)

Данная опция определяет, чем управляется предзаряд SDRAM — центральным процессором или самой SDRAM-памятью. В некоторых версиях BIOS данная опция может называться (трактоваться) как SDRAM Page Closing Policy («метод закрытия страниц SDRAM»). Если опция отключена (Disabled), то все циклы обращения процессора к SDRAM завершаются командой All Banks Precharge Command в интерфейсе SDRAM-памяти, что улучшает стабильность, но понижает производительность памяти. Если же опция включена (Enabled), то предварительный заряд контролируется самими чипами памяти. Это уменьшает количество предзарядов SDRAM, а число циклов обращения ЦПУ к памяти (CPU-to-SDRAM) значительно возрастает до того момента, когда потребуется регенерация памяти. Это однозначно ведет к повышению общей производительности системы, но может негативно влиять на стабильность ее работы.

SDRAM Refresh

(Опция выбора метода регенерации для SDRAM-памяти)

Возможные варианты: Serial (последовательный перебор строк при регенерации) и Simultaneous (одновременная регенерация). При рассмотрении опции Burst Refresh уже отмечались недостатки пакетной регенерации, когда в единый пакет собираются запросы на регенерацию. Перезарядка строк происходит мгновенно, но пока не завершится полная регенерация, доступ к шине памяти будет невозможен. Поэтому об оптимальном варианте для конкретной системы можно говорить только после экспериментальных тестов.

Данная опция была замечена в системах, построенных на чипсетах SIS620, SIS600.

Self-Refresh

Опция включения режима саморегенерации основной памяти (если установлено Enabled). Называется также EDO/FPM DRAM Self-Refresh.

Slow Refresh (1:4)

(Медленная pегенеpация)

При включении (Enabled) схема регенерации будет в 4 раза реже регенерировать память (64 мкс против 16), чем в обычном режиме. В итоге производительность системы повышается из-за ослабления конкуренции в борьбе за память между CPU и схемой pегенеpации. Однако не все типы динамических ОЗУ могут поддерживать такие «медленные» циклы (будет получено сообщение об ошибке четности или о сбое системы). В этом случае необходимо установить значение опции Disabled.

В свое время опция получила распространение благодаря развитию такого типа ПК, как laptop (дорожный ПК), в качестве энергосберегающей функции. В современных системах она опция встречается все реже.

Одно время также считалось, что медленная регенерация окажется достаточно эффективной при использовании 16-битных ISA-карт расширения, работающих в режиме bus master. Поскольку сама ISA-карта может быть инициатором запроса на регенерацию, то «медленная регенерация» в меньшей степени бы нарушала передачу данных по DMA-каналам.

Опция может называться также DRAM Slow Refresh, Slow Refresh или Slow Refresh Enable.

Еще ее одно название Slow Memory Refresh Divider. Но этой опцией устанавливался делитель для медленной регенерации: 1, 4, 16 или даже 64. Выставить самые большие значения, т.е. в максимальной степени снижать частоту регенерации, позволяла только специальная память.

Staggered Refresh

Переводится это словосочетание приблизительно как «регенерация с перекатыванием» и является обозначением «шахматной» регенерации. Как известно, регенерация выполняется на банках памяти с последовательным перебором строк. При наличии нескольких банков памяти и включении данной опции, банки памяти регенерируются одновременно, но со сдвигом по перебору строк.

Данный тип регенерации позволяет сгладить броски энергопотребления модулями памяти, выравнивая токи в процессе различных переключений. Уменьшение бросков тока снижает уровень помех.

С помощью этой несколько устаревшей опции можно установить временный интервал между регенерируемыми строками, который измеряется в системных тактах (0T, 1T, 2T, 3T, 4T, 5T, 6T, 7T). 0 позволяет регенерировать все строки в банках одновременно. Но предлагается и обычный набор значений: разрешить/отказать (Enabled и Disabled).

Опция может также называться Refresh Stagger или DRAM Refresh Stagger By.

4.5. Конфигурирование основной памяти

Auto Configuration

Опция автоматического конфигурирования параметров доступа к основной памяти. Обычно она находится в разделах Advanced Chipset Setup или Chipset Features Setup. Опция позволяет настроить время доступа к модулям памяти в автоматическом режиме, либо в «ручном» режиме, причем в соответствии со спецификациями применяемых модулей памяти. Чтобы выйти на режим пользовательской настройки, достаточно установить параметр в Disabled. Значение Auto (автоматическая конфигурация) стоит по умолчанию. Обычно встречаются следующие фиксированные значения —60 ns и 70 ns — для модулей памяти с соответствующим быстродействием в нано-секундах.

Опция также может называться DRAM Auto Configuration или Auto Configure EDODRAM Tim (tim — это timing). В последнем варианте параметр Enabled заменил Auto, в остальном отличий между ними нет.

Значительно более существенны различия в том случае, когда под опцией Auto Configuration «скрываются» настройки доброй половины параметров соответствующего раздела BIOS Setup. Тогда автоматически конфигурируются параметры кэш-памяти, основной памяти, регенерации и даже скорость ISA-шины. Большинство из них мы рассмотрим.

Bank nn DRAM Type

Этой устаревшей опцией (еще для AT-286) устанавливался объем модулей памяти, собранных в банки с номерами nn. Значение параметра выбиралось из ряда: 64K, 256K, 1M.

Bank nn Numer of Banks

С помощью этой, уже устаревшей опции (для AT-286) устанавливалось количество заполненных банков из банков nn. Предлагались такие значения параметра: 0, 1, 2.

Base Memory Size

Эта опция-ветеран AMI BIOS содержит параметры по установке размера основной системной памяти: 512KB, 640KB (по умолчанию). Встречалась похожая опция и в Phoenix BIOS.

CAS# Latency

(Задержка CAS — CL)

Важнейшая характеристика чипа памяти, определяющая минимальное количество циклов тактового сигнала от момента запроса данных сигналом CAS до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля памяти. Иногда говорят о задержке после приема команды. Под этим также понимают количество системных тактов, необходимых для завершения передачи первой «порции» пакета данных. Возможные значения параметров: 2, 3 — или в системных тактах —2T, 3T (3 Clks).

Значение в 3 такта устанавливается по умолчанию. Хотя в некоторых версиях BIOS возможно появление значения в 4 такта. Уменьшение параметра нужно осуществлять крайне осторожно, обязательно проверяя работоспособность системы. Если вы хотите избежать проблем, можете выбрать значение Auto, однако оно встречается не часто.

Другое название опции —CAS# Latency Clocks.

Все сказанное о задержке CAS справедливо и относительно следующих «древних» опций: CAS Width in Read Cycle, CAS-to-Read Delay, DRAM CAS Timing Delay, CAS Output Delay.

Столь «старинная» характеристика памяти не утратила своей значимости и с внедрением памяти типа SDRAM, опция стала называться SDRAM CAS# Latency (или реже —SDRAM CAS Latency Time).

В некоторых случаях версия BIOS может предложить возможность настройки параметров для отдельных банков памяти, и тогда в составе весьма внушительных меню появятся следующие опции:

DRAM Bank 0,1 CAS Latency

DRAM Bank 2,3 CAS Latency

DRAM Bank 4,5 CAS Latency (значения для всех: 1T, 2T, 3T, 4T).

Последние опции — из недалекого прошлого. В современных системах значение в один такт встретить невозможно. Зато появились значения в 2.5 такта.

Отметим еще раз, что меньшее значение увеличивает производительность системы (установка в 2 такта, в сравнении с 3-мя, ускоряет систему на 1–2%). Поэтому для SDRAM с быстродействием 10 нс или меньше рекомендуется меньшее значение. Некоторые модули памяти не поддерживают минимальные значения параметров, а это, в свою очередь, может привести к разрушению хранящейся в ОЗУ информации. Проблемы с пониженными значениями опции могут возникнуть и в случае «разгона» оперативки!

Думаю, без труда мы освоим и другие варианты параметров опции CAS# Latency: Slow и Fast. Необходимо уточнить, что наряду с традиционными значениями (2 clock, 3 clock) может повстречаться и значение SPD. Т.е. информация будет считана из EEPROM-модуля. Такой вариант предложил Phoenix BIOS.

CAS# Pulse Width

(Длительность сигнала CAS)

Опция устанавливает время активности (в системных тактах) сигнала CAS, необходимое для выполнения операции чтения. Стандартный набор значений: 1T, 2T.

В большинстве случаев различные версии BIOS могли предложить раздельную установку параметров для режима записи и чтения из памяти. Тогда опций было две, например, Write CAS# Pulse Width и Read CAS# Pulse Width. В некоторых случаях в версии BIOS, помимо раздельной установки параметров для режимов записи и чтения, учитывалась и возможность настройки параметров для отдельных банков памяти. И тогда пользователю приходилось «возиться» с целым набором опций:

Bank 0&1: CAS Read Pulse;

Bank 2&3: CAS Read Pulse;

Bank 4&5: CAS Read Pulse (значения для всех: 1T, 2T, 3T, 4T);

Bank 0&1: CAS Write Pulse;

Bank 2&3: CAS Write Pulse;

Bank 4&5: CAS Write Pulse (значения для всех: 1T, 2T).

Опция могла быть представлена в интегрированном виде —EDO CAS Pulse Width R/W со следующими значениями: 1T/1T, 1T/2T, 2T/2T.

Вот еще несколько примеров наименований опции: FPM DRAM Write Pulse Width, FPM CAS# Pulse Width, FPM DRAM CAS Pulse Width, CAS# Write Pulse Width, DRAM Write CAS Width, DRAM Write CAS# Pulse Width, EDO CAS# Pulse Width, EDO DRAM CASPulse Width, CAS Width in Read Cycle.

Эти опции могут предложить и такой ряд значений: 1T, 2T, 3T или 2T, 3T, 4T, 5T. Еще пример интегрированной реализации (для систем с возможностью использования различных типов памяти) —FPM/EDO Read Pulse Width (чипсеты i430FX, i430MX, i430HX): 1T/2T, 2T/1T, 3T/2T, 4T/3T. Ну и наконец, самая «древняя» интегрированная опция —Memory Pulse Width.

Напоследок еще одна опция, Post Write CAS Active, с помощью которой устанавливалось время активности CAS-сигнала для циклов записи в память со стороны master-устройства на PCI-шине.

CPU to DRAM Page Mode

Когда опция установлена в Disabled, контроллер памяти закрывает страницу памяти после доступа к ней. При этом очищается так называемый page open register. Когда опция включена (Enabled — по умолчанию), страница памяти остается открытой на случай повторного обращения к ней. Такой режим работы памяти более производителен.

То же самое характерно для множества опций с подобными наименованиями: DRAM PageMode, DRAM Paging, DRAM Paging Mode, DRAM Page Open Policy, SDRAMPageControl.

Как и в случае с опциями, предоставляется и широкий и выбор возможных значений, доступных для регулирования параметров. В различных версиях BIOS можно даже найти опции с одинаковыми названиями, но различными значениями их параметров. Например, CPU to DRAM Page Mode может предоставить для выбора значения Use Paging и No Paging (по сути, это то же самое разрешение/запрещение закрытия страницы памяти). Возможны и следующие варианты значений: Always Open и Closes, Page Closes, Stays Open и Closes If Idle, Normal и Disabled.

Необходимо упомянуть еще о некоторых опциях: DRAM Page Closing Policy со значениями Closed, Open и Page Open Policy со значениями Close Page, Hold Open. Более современная опция SDRAM Page Closing Policy предложила иные варианты закрытия открытых страниц памяти, а именно по банкам памяти. При этом контроллер памяти закрывает открытые страницы либо в одном банке (One Bank), либо во всем массиве системной памяти (All Banks). Первое параметр предпочтительнее.

Иногда усовершенствованный (enhanced) механизм работы чипсета и контроллера памяти позволяет с помощью дополнительной информации об открытой странице памяти сохранять ее некоторое время открытой даже при отключенной опции, регулирующей политику закрытия страниц.

«Усовершенствованные» опции могут называться: DRAM Enhanced Paging, Enhanced DRAM Paging, Enhanced Page Mode, Enhanced Paging, EDO/FPM Enhanced Page Mode, SDRAM Enhanced Page Mode. В большинстве случаев они совершенно самостоятельно справляются с решением вопросов закрытия страниц памяти. Например, при Enabled чипсет сохранит страницу открытой до первого «промаха» (обращения не к этой странице). Когда опция заблокирована (Disabled), чипсет будет использовать дополнительную информацию для сохранения ее открытой.

(Продолжение следует)

Рекомендуем ещё прочитать:






Данную страницу никто не комментировал. Вы можете стать первым.

Ваше имя:
Ваша почта:

RSS
Комментарий:
Введите символы: *
captcha
Обновить





Хостинг на серверах в Украине, США и Германии. © www.sector.biz.ua 2006-2015 design by Vadim Popov