АРХИВ СТАТЕЙ ЖУРНАЛА «МОЙ КОМПЬЮТЕР» ЗА 2002 ГОД

Биос и его настройки

• Все журналы \ Номер 50/221 `2002 от 16.12.2002 \ Биос и его настройки

Виталий ЯКУСЕВИЧ santana@istc.kiev.ua

(Продолжение, начало в МК № 26–38, 40–43, 46, 50–52 (145–157, 159–162, 165, 169–171), 2000; № 1 (172), 4 (175), 6–7 (177–178), 12–13 (183–184), 17–18 (188–189), 23 (194), 27 (198), 30 (201), 33 (204), 35 (206), 40 (211), 42 (213), 44 (215), 47 (218))

4. Memory

(Продолжение)

4.4. Refresh

(Продолжение)

Concurrent Refresh

(Параллельная, или Конкурирующая pегенеpация)

При активации данной опции как аппаратные средства регенерации, так и центральный процессор получают одновременный доступ к памяти. При этом процессору не нужно будет ждать, пока произойдет регенерация ОЗУ. При установке опции в Disabled ЦПУ, наоборот, придется ждать, пока процедура pегенеpации не закончит работу с памятью. Естественно, что включение опции повышает производительность системы.

Decoupled Refresh

(Раздельная регенерация)

ISA-шина имеет невысокую скорость работы, а включение этой опции (Enabled) позволит чипсету разделить регенерацию для основной памяти и ISA-шины. При этом процесс регенерации для ISA-шины может быть завершен во время выполнения процессором других инструкций. Использование данной опции заметно увеличивает производительность всей системы. Опция играла заметную роль во времена 486-х компьютеров.

Но при активации этого параметра могли возникнуть и проблемы. Например, во время начального цикла регенерации шины некоторые карты расширения (обычно видеокарты) требовали к себе внимания процессора. Естественно, это могло привести к нежелательным сбоям. Также необходимо было отключать опцию, если при работе с графическими режимами высокого разрешения на экране монитора появлялись какие-то символы или «снег». При этом необходимо было отключать и такой метод работы с памятью, как Memory Relocation (см. МК, № 25 (196), 27 (198), 2002). Сказанное выше, например, было характерно для видеокарт на чипе S3 801 (таких как SPEA V7 Mirage), работающих совместно с некоторыми картами-контроллерами производства Adaptec с расширенной ROM-памятью, необходимой для обслуживания жестких дисков объемом свыше 1 Гб.

Также опция может называться Decoupled Refresh Option.

DRAM Ahead Refresh

Опция, позволяющая включать (Enabled) определенный режим для цикла регенерации. Что это за режим, станет понятнее после того, как мы рассмотрим следующую опцию. Последняя становится активной, если включена текущая опция.

x DRAM Ahead Refresh Timing

Данная опция, по сути, позволяет «отодвинуть» начало цикла регенерации памяти на 10 или 40 системных тактов. Это обеспечивает хоть и незначительное, но все же повышение производительности. Вышеприведенные уникальные опции были реализованы в системах на чипсете SIS540, и более, насколько мне известно, пока нигде не встречались.

DRAM Burst at 4 Refresh

Данная опция также связана с пакетной регенерацией, но суть ее иная. Ее разрешение (Enabled) включает регенерацию по 4 строки в пакете. Такой метод заметно повышает производительность. При этом шина освобождается намного быстрее, чем в случае с опцией Burst Refresh.

DRAM CAS# Precharge

(Время предварительного заряда CAS)

Данная функция применяется при наличии в системе синхронной динамической памяти. С ее помощью устанавливается (в тактах системной шины) время для формирования сигнала CAS (накопления заряда по CAS) до начала цикла регенерации памяти (см. также далее DRAM RAS# Precharge Time). Уменьшение этого значения увеличивает быстродействие. Но если одновременно установлены «пограничные» значения для RAS-строба, то возможны проблемы со стабильностью системы. Если установленное в опции значение параметра (тактов) слишком мало, то регенерация может оказаться незавершенной, что в итоге приведет к потере данных, находящихся в памяти. Со всеми вытекающими отсюда плачевными последствиями.

Опция также может также называться: CAS# Precharge, CAS# Precharge Time, FPM CAS# Precharge, FPM DRAM CAS Precharge, EDO/FPM CAS Precharge Time, EDO CAS# Precharge, EDO DRAM CAS Precharge. Большим разнообразием значений все перечисленные опции не отличаются. 1T, 2T или такой ряд: 1T, 1T/2T, 2T. Некоторое разнообразие внесла CAS Precharge Period: 1T, 2T, 3T, 4T.

DRAM RAS Only Refresh

Включение/отключение метода обновления DRAM, альтернативного методу CAS-before-RAS. Если BIOS содержит другие возможности по регенерации памяти, то данную опцию необходимо отключить. В противном случае придется использовать этот устаревший метод обновления памяти.

DRAM RAS# Precharge Time

(Время предварительного заряда RAS)

Эта функция используется при наличии в системе синхронной динамической памяти. Опция позволяет выставлять время (в тактах системной шины) для формирования сигнала RAS (иногда говорят о накоплении заряда по RAS) до начала цикла регенерации памяти. Фактически тем самым устанавливается минимальный интервал между двумя последовательными циклами чтения или записи ОЗУ. Уменьшение значения опции увеличивает быстродействие. Но если установлено недостаточное время, регенерация может оказаться незавершенной, что в итоге приведет к потере данных, находящихся в памяти. Естественно, что при повышении частоты, на которой работает память, следует и выбор большего значения опции, что важно для сохранения стабильности при разгоне памяти. Возможные значения параметра могут быть представлены в различном виде: в виде цифровых значений — 3, 4 и т.д.; с указанием системных тактов — 3 Clocks или 1T. А обобщенный ряд значений имеет следующий вид: 0T, 1T, 2T, 3T, 4T, 5T, 6T, хотя в каждом конкретном варианте может быть представлено 2–4 значения.

Аналогичные опции могут иметь множество названий: DRAM RAS# Precharge Period, RAS# Precharge Time, RAS Precharge Timing, RAS# Precharge Period, FPM DRAM RAS# Precharge, FPM RAS Precharge, RAS# Precharge, DRAM RAS Precharge, EDO RAS Precharge, EDO RAS# Precharge Time, EDO RAS Precharge Timing, FPM/EDO RAS# Precharge Time, EDO/FPM RAS Precharge Time.

Как видим, опция не потеряла своей актуальности ни с появлением EDO-памяти, ни BEDO- и SDRAM-модулей, поскольку данный параметр (RAS Precharge) до сих пор является одной из важнейших характеристик чипов памяти: BEDO RAS Precharge, SDRAM RAS Precharge Time.

Правда, кроме привычных параметров типа 3T или 2 Clks (эти значения характерны для SDRAM-модулей), в различных версиях BIOS стали встречаться новые значения, такие как Same as FPM и FPM-1T, Fast и Normal, Fast и Slow. Для последней пары параметров Slow (медленно) равносильно увеличению количества тактов, что повышает стабильность работы системы. Fast же следует устанавливать в случае, если вы уверены в качестве модулей памяти. Что же касается первой пары, то для опций вида FPM DRAM RAS# Precharge ряд значений мог иметь вид: 2T, 3T, 4T, 5T, 6T, а отсюда и возможный результат для SDRAM-памяти, хотя совершенно не очевидный.

Иногда BIOS предоставляет возможность установить параметры для каждого банка памяти в отдельности. Поскольку речь идет о «предзаряде» для RAS#-строба, то опция (опции!) может называться Bank 0&1 (2&3) (4&5): EDO/SDRAM Precharge со значениями 3T/2T, 4T/3T.

AMI BIOS для «своей» опции SDRAM RAS# Precharge предложил дополнительное значение Auto. Правда, один из вариантов SDRAM RAS Precharge представил и значения Disabled/Enabled. Запрещать опцию можно только, если вы абсолютно уверены в модулях памяти, иначе неприятностей не избежать. Раз мы коснулись вопроса о запрещении/разрешении механизма предзаряда, то следует отметить и возможность включения (Enabled) оптимизации предзаряда —SDRAM: Optimal RAS# Prech.

Рассказывая о данной опции (опциях!), следует отметить важный момент. Нельзя ее путать с опциями типа Refresh RAS Active Time, отвечающими за длительность сигнала RAS#. В нашем случае речь идет как бы о подготовительном процессе. Процедуры выставления сигнала RAS# и при регенерации, и при операциях чтения/записи идентичны.

И в завершение изложенного несколько слов об опции RAS# Precharge/Refresh, ее значения —3T/4T и 4T/5T. Данный параметр одновременно устанавливает и время подготовительной фазы, и общее время активности сигнала RAS# для цикла регенерации.

(Продолжение следует)

Идёт загрузка...

Данную страницу никто не комментировал. Вы можете стать первым.

Ваше имя:
Ваша почта:
Комментарий:
Введите символы или вычислите пример: * Обновить