Типы оперативной памяти. Небуферизированная память, с ECC, регистровая с ECC.

Всё больше людей сталкиваются с проблемой несовместимости оперативной памяти с компьютером. Устанавливают память, а она не работает и компьютер не включается. Многие пользователи просто не знают, что существуют несколько типов памяти и какой именно тип подходит к их компьютеру, а какой нет. В данном руководстве я кратко раскажу из личного опыта об оперативной памяти и где каждая применяется.

Вы не знаете что значит U в маркировке оперативной памяти, что значит E, что значит R или F? Этими буквами обозначается тип памяти - U (Unbuffered, небуферизированная), E (память c коррекцией ошибок, ECC), R (регистровая память, Registered), F (FB-DIMM, Fully Buffered DIMM - полностью буферизованная DIMM). Теперь рассмотрим все эти типы подробнее.

Типы памяти используемые в компьютерах:

1. Небуферизированная память. Обычная память для обычных настольных компьютеров, её ещё называют UDIMM. На планке памяти как правило имеется 2, 4, 8 или 16 микросхем памяти с одной или двух сторон. У такой памяти маркировка обычно заканчивается буквой U (Unbuffered) или вообще без буквы, например DDR2 PC-6400, DDR2 PC-6400U, DDR3 PC-8500U или DDR3 PC-10600. А у памяти для ноутбуков маркировка заканчивается буквой S, видимо это сокращение от SO-DIMM, например DDR2 PC-6400S. Фото небуферизированной памяти можно видеть ниже.

2. Память c коррекцией ошибок (Память с ECC). Обычная Небуферизованная память с коррекцией ошибок. Такая память ставится обычно в фирменные (брендовые) компьютеры продаваемые в Европе (НЕ СЕРВЕРА), плюсом этой памяти является её большая надёжность при работе. Большинство ошибок при работе памяти удаётся исправить во время работы, даже если они появляются, не теряя данные. Обычно на каждой планке такой памяти 9 или 18 микросхем памяти, добавляется одна или 2 микросхемы. Большинство обычных компьютеров (не серверов) и материнских плат могут работать с ECC памятью. У такой памяти маркировка как правило заканчивается буквой E (ECC), например DDR2 PC-4200E, DDR2 PC-6400E, DDR3 PC-8500E или DDR3 PC-10600E. Фото небуферизированной памяти c ECC можно видеть ниже.

Различие памяти с ECC и памяти без ECC можно видеть на фото:

Хоть большинство продаваемых плат и поддерживают эту память, но совместимость с конкретной платой и процессором лучше узнать заранее до покупки. Из личного опыта 90-95% материнских плат и процессоров могут работать с памятью ECC. Из тех, что НЕ могут работать: платы на чипсетах Intel G31, Intel G33, Intel G41, Intel G43, Intel 865PE. Все материнские платы и процессоры начиная с первого поколения Intel Core все могут работать с ECC памятью и от материнских плат это не зависит. Под AMD процессоры вообще практически все материнские платы могут работать с ECC памятью, за исключением случаев индивидуальной несовместимости (такое бывает в редчайших случаях).

3. Регистровая память (Registered). СЕРВЕРНЫЙ тип памяти. Обычно он всегда выпускается с ECC (коррекцией ошибок) и c микросхемой "Буфером". Микросхема "буфер" позволяет увеличить максимальное количество планок памяти, которые можно подключить к шине не перегружая её, но это уже лишние данные, не будем углубляться в теорию. В последнее время понятия буферизованный и регистровый почти не различают. Если утрировать: регистровая память = буферизованная. Эта память работает ТОЛЬКО на серверных материнских платах способных работать с памятью черем микросхему "буфер".

Обычно на планках регистровой памяти с ECC установлено 9, 18 или 36 микросхем памяти и ещё 1, 2 или 4 микросхемы "буфера" (они обычно в центре, отличаются по габаритам от микросхем памяти). У такой памяти маркировка как правило заканчивается буквой R (Registered), например DDR2 PC-4200R, DDR2 PC-6400R, DDR3 PC-8500R или DDR3 PC-10600R. Ещё в маркировке регистровой (серверной) (буферизированной) памяти обычно присутствует сокращение слова Registered - REG. Фото буферизированной (регистровой) памяти c ECC можно видеть ниже.

Помните! Регистровая память с ECC со 100% вероятностью НЕ РАБОТАЕТ на обычных материнских платах. Она работает только на серверах!

4. FB-DIMM Fully Buffered DIMM (Полностью буферизованная DIMM), — стандарт компьютерной памяти, который используется для повышения надёжности, скорости, и плотности подсистемы памяти. В традиционных стандартах памяти линии данных подключаются от контроллера памяти непосредственно к линиям данных каждого модуля DRAM (иногда через буферные регистры, по одной микросхеме регистра на 1-2 чипа памяти). С увеличением ширины канала или скорости передачи данных, качество сигнала на шине ухудшается, усложняется разводка шины. Это ограничивает скорость и плотность памяти. FB-DIMM использует другой подход для решения этих проблем. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной.

Модуль FB-DIMM имеет 240 контактов и одинаковую длину с другими модулями DDR DIMM, но отличается по форме выступов. Подходит только для серверных платформ.

Спецификации FB-DIMM, как и другие стандарты памяти, опубликованы JEDEC.

Компания Intel использовала память FB-DIMM в системах с процессорами Xeon серий 5000 и 5100 и новее (2006—2008 годы). Память FB-DIMM поддерживается серверными чипсетами 5000, 5100, 5400, 7300; только с процессорами Xeon, основанными на микроархитектуре Core (сокет LGA771).

В сентябре 2006 года компания AMD также отказалась от планов по использованию памяти FB-DIMM.

Если Вы затрудняетесь с выбором памяти для своего компьютера, то уточните у продавца сообщив ему модель материнской платы и модель процессора.

Память с пониженным питанием, «L» память

Многие пользователи компьютеров и ноутбуков на основе процессоров Intel 3-го, 4-го и последующих поколений процессоров сталкиваются с ещё одним видом памяти, так называемой, «L» памятью. Это память DDR3L, DDR4L. Маркируется эта память с дополнительной буквой «L», вот примеры её маркировки: DDR3L-1600, DDR4L-2133 и подобные. Что же обозначает дополнительная буква «L» в маркировке памяти? Всё очень просто. Эта маркировка говорит нам о том, что микросхемы памяти на этом модуле, как и сам модуль, могут работать на пониженном питании, обычно на 20% ниже чем у стандарта. Тем самым экономится расход электроэнергии и уменьшается нагрев во время работы. Особенно актуально это для переносных устройств, например, ноутбуков и ультрабуков. Пониженное напряжение питания составляет 1.35 вольта для DDR3L и 1.05 вольта для DDR4L, в то время как стандартное напряжение питания памяти DDR3 составляет 1.5 вольта, и для DDR4 - 1.2 вольта.

Могут ли работать модули DDR3 вместе с DDR3L? И можно ли ставить модули DDR3L вместо DDR3? Да, в большинстве случаев эти модули имеют обратную совместимость и могут быть взаимозаменяемыми, но есть и исключение. Объясню этот момент более подробно. Если взять, например, спецификацию на модуль памяти SODIMM 4GB DDR3L Kingston KVR16LS11/4 1Rx8 512M x 64-Bit PC3L-12800CL11 204-Pin, то в ней указано, что питание на модуль возможно двух стандартов:

JEDEC standard 1.35V (1.28V ~ 1.45V) and 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply;
VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) and 1.5V (1.425V ~ 1.575V)

Как видим, питание на модуль может составлять от 1.28 вольт и до 1.575 вольта. При этом напряжении питания гарантируется нормальная работа модуля памяти, работа модуля памяти при этом напряжении протестирована и гарантируется производителем. Если же вы более подробно найдёте спецификацию на сами микросхемы памяти, которые распаяны в конкретном модуле, то вполне вероятно, что диапазон допустимых напряжений ещё шире и память может выдержать и более высокие/низкие напряжения питания, но это уже будет экстремальный режим работы. Посмотрим, например, спецификацию микросхем у модуля Kingston KVR16S11S6/2. В данном модуле распаяны микросхемы D2516JC4BXGGBU, спецификация этих микросхем в PDF файле. Тут указано, что модуль работает при напряжении VDD от 1.283 вольта (стандартно 1.35 для DDR3L) и до 1.575 вольта (стандартно 1.5 для DDR3). А абсолютное максимально возможное напряжение для микросхемы вообще составляет 1.975 вольт, по превышению которого микросхема памяти просто обязана сгореть, если верить спецификации. :) То же самое произойдёт если перепутать полярность и подать обратное напряжение в -0.4 вольта, но такое маловероятно осуществить.

Из всего этого можно сделать выводы:

  1. На ПК и ноутбуках, где материнская плата (или контроллер памяти в процессоре) может работать как со стандартным напряжением питания, так и пониженным, стандарта «L», на таких системах возможна работа модулей памяти как с пониженным питанием («L») так и со стандартным питанием (без «L»). Скорее всего, система формирования питания памяти подаст стандартное (высокое) напряжение на все модули, и все модули будут работать на этом уровне напряжения питания.
  2. Если же материнская плата (или же процессор) расчитана только на работу с памятью «L» стандарта, то память с стандартным питанием (без «L») скорее всего работать не будет, т.к. достаточного уровня напряжения не будет. В этом случае вам надо ставить только модули с пониженным питанием, «L»-ки.

Узнать о том, какой же стандарт напряжения памяти поддерживается в вашей системе можно из её спецификации. Обычно это спецификация или материнской платы, или же процессора. Например, у вас в ноутбуке установлен процессор Intel® Core™ i5-4300U. Открываем его спецификацию на сайте Intel и смотрим, что данный процессор поддерживает память DDR3L 1333/1600 и LPDDR3 1333/1600 - это всё память с пониженным питанием. Значит, Вы не сможете установить в систему с таким процессором память с обычным напряжением питанием (без буквы «L» в маркировке) - она не будет работать! А если и будет, то может сбоить и сыпать ошибками, т.к. на неё будет подаваться недостаточное напряжение питания.

Можно сделать ещё один вывод. Память с пониженным питанием более универсальна, т.к. может работать в любых системах, как в тех, что расчитаны на пониженное питание памяти, так и в тех, где питание памяти стандартное.

Примечание: Я не рекомендую ставить «L» модули вместе с оверклокерскими модулями, т.к. оверклокерские модули рассчитаны наоборот на повышенное напряжение, а оно может быть выше верхнего предела напряжения для «L» модулей. В таком случае «L» память может не выдержать и перестать функционировать навсегда.

P.S.: В последнее время появился ещё один дешевый и интересный тип памяти - я её называю "Китайская Подделка". Кто ещё не сталкивался - расскажу. Это такая память, которую можно всегда узнать по её контактам, обычно они окисленные и даже если их очистить, то за месяц-два они опять окисляются, становятся мутными, грязными и память при этом может сбоить или совсем не работать. Золотом на контактах этой памяти даже и не пахнет. Ещё одним отличием этой памяти от оригинальной является то, что она работает на определённых материнских платах или процессорах, например ТОЛЬКО на АМД, или только строго на каких-то чипсетах. Причём перечень этих чипсетов очень мал. В чём секрет этой "памяти" мне пока не ясно, но многие покупают - ведь она на 40-50% дешевле аналогичной. И что самое удивительное, новая "Китайская Подделка" обычно стоит дешевле оригинальной памяти Б/У :) Надёжность и долговечность работы рассказывать не буду, тут и так всё ясно.

Карта разрушений и жертв российской агрессии в городе Мариуполь, на карте отмечены более 2000 пострадавших домов. На карте отмечены не только фото домов, но свидетельства их жителей, а так же место боевых...

Из-за военных событий 2014 года в Донецке тренер по плаванию Алексей Снежко и его жена вынужденно переехали в Киев. А теперь, в 2022-м, 33-летний Алексей потерял обоих родителей в Мариуполе. Как пережить...

«20 днів у Маріуполі». Ще один фільм про блокадний Маріуполь з подіями березня 2022 року. Повномасштабне російське вторгнення в Україну журналісти зустріли у Маріуполі разом із жителями міста...

Компьютерный мирSector

Вся информация на страницах сайта предназначена только для личного не коммерческого использования, учёбы, повышения квалификации и не включает призывы к каким либо действиям.

Частичное или полное использование материалов сайта разрешается только при условии добавления ссылки на непосредственный адрес материала на нашем сайте.